لطفا به نکات زیر در هنگام خرید دانلود فایل پاورپوینت (ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندی)BJT توجه فرمایید.

1-در این مطلب، متن اسلاید های اولیه دانلود فایل پاورپوینت (ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندی)BJT قرار داده شده است 2-به علت اینکه امکان درج تصاویر استفاده شده در پاورپوینت وجود ندارد،در صورتی که مایل به دریافت  تصاویری از ان قبل از خرید هستید، می توانید با پشتیبانی تماس حاصل فرمایید 3-پس از پرداخت هزینه ، حداکثر طی 4 ساعت پاورپوینت خرید شده ، به ادرس ایمیل شما ارسال خواهد شد 4-در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل اسلاید ها میباشد ودر فایل اصلی این پاورپوینت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد 5-در صورتی که اسلاید ها داری جدول و یا عکس باشند در متون زیر قرار نخواهند گرفت

— پاورپوینت شامل تصاویر میباشد —-

اسلاید ۱ :

*زمانی ترانزیستور در ناحیه خطی یا فعال کار می کند که دیود بیس امیتر  روشن و دیود بیس کلکتور قطع باشد

اسلاید ۲ :

مولفه های جریانی ترانزیستور در ناحیه فعال:

  مقداری از جریان حفره ای که بوسیله الکترون های بیس جذب می شودIx

 مقداری از جریان حفره ای که از بیس عبور می کندIPC

 جریان الکترونی بیس که برای ترکیب با حفره های            ، به       می آیند  Inco

اسلاید ۳ :

که در حقیقت تامین کننده جریان حفره ای است بنابراین  VBE  توسطIC جریان IC≈ IE ازآنجا که

  می توان از رابطه زیر استفاده کرد: IC    برای محاسبه  

و در نتیجه افزایش قدرت پرتاب گری می شود و  B   تنها منجر به افزایش عرض ناحیه تخلیه بین  VCB افزایش

 افزایش می دهدμA در حد  ICO تاثیری ندارد و تنها IPC      اما روی جریان  

اسلاید ۴ :

 مساله : DCتحلیل   گام های ۱) حدس اولیه ناحیه کار ترانزیستور

۲)حل مساله و محاسبه مجهولات با استفاده از اطلاعات بدیهی

 قبل از حل مساله جریان ها را نامگذاری کنید *

۳)چک کردن صحت فرض با استفاده از مجهول های محاسبه شده

اسلاید ۵ :


نواحی کار :

۱) خطی _ فعال (تقویت کننده):          

                    *  حالت های دیودها :

                                                                                                                         

                   

*  اطلاعات بدیهی از این حالت:                                                                            

*مجهولات :

                 

اسلاید ۶ :

۲) اشباع(سوئیچ):

                *  حالت های دیودها

                   

* اطلاعات بدیهی از این حالت:                                                                            

IC  یا  IE * مجهولات:                                            

                 

۳) خاموشی ترانزیستور(سوئیچ):

                    *  حالت های دیودها

IC  یا  IE                                    ۰≈

                 

  *مجهولات:                                            

                 

۴)فعال معکوس:

                 *  حالت های دیودها

اسلاید ۷ :

 :بدیهیات

*تعیین حالت ترانزیستور

۱) فرض خطی بودن

تعیین مجهولات و حل مساله

اسلاید ۸ :

 محاسبه کنیدΒ=۳۰   را با فرض  IE  , IB  , IC و جریان های  VE  ,VC  ,VB       مثال ) در مدار شکل زیر مقادیر ولتاژهای

اسلاید ۹ :

ترانزیستور وارد ناحیه اشباع شود. VI = 5v  را به گونه ای بیابید که به ازایRC    مثال)  

اسلاید ۱۰ :

: مرز اشباع و خطی

  :  Xمدار معادل تونن دیده شده از نقطه