دانلود پاورپوینت حافظه داخلی

بخشی از پاورپوینت

اسلاید 1 :

حافظه

حافظه سيستم، مكاني است كه در آنجا كامپيوتر برنامه‌هاي جاري و داده‌هاي مورد استفاده را نگهداري مي‌نمايد و به دليل قدرتمند شدن دائمي نرم‌افزارها، حافظه سيستم با گام‌هاي پرشتاب، رو به افزايش است. ذخيره و بازيابي داده‌ها از يك بلوك بزرگ حافظه زمان بسيار بيشتري را نسبت به يك بلوك كوچك مي‌طلبد. با يك حجم وسيعي از فضاي حافظه اصلي بسيار زياد مي‌باشد و اين امر، منجر به ايجاد لايه‌هاي اضافي كاشه در سلسله مراتب حافظه مي‌گردد.

هنگامي كه بحث سرعت دسترسي به حافظه مطرح مي‌شود، همواره يك شكاف رو به افزايش بين پردازنده‌ها و تراشه‌هاي حافظه وجود دارد. اين بدان معناست كه پردازنده‌ها دائماً با زمان انتظار بيشتر براي خواندن و نوشتن داده‌ها روي حافظه اصلي مواجه هستند. يك راه حل، استفاده از حافظه كاشه بين حافظه اصلي و پردازنده و نيز استفاده از سيستم‌هاي الكترونيكي هوشمندتر براي تضمين اين كه ملزومات داده‌اي پردازنده از قبل در حافظه كاشه قرار مي‌گيرد.

اسلاید 2 :

حافظه اصلي

در سلسله مراتب حافظه، سطح سوم حافظه اصلي سيستم، Ram مي‌باشد. حافظه منبع موقتي نگهداري داده‌ها بوده و محيط حافظه اصلي قابل دسترسي توسط ديسك سخت مي‌باشد. اين حافظه به عنوان حافظه مياني بين ديسك سخت و پردازنده بكار مي‌رود. هرچه داده‌هاي بيشتري را بتوان در داخل حافظه Ram ذخيره نمود، سرعت اجراي PC افزايش خواهد يافت. حافظه اصلي از طريق باس‌هاي آدرس و داده به پردازنده منتقل مي‌شود. هر باس داراي يك تعداد مدار الكتريكي يا بيت است.

هر مبادله داده بين CPU و حافظه، يك سيكل باس نام دارد. تعداد بيت‌هاي داده‌اي كه يك CPU در طي يك سيكل باس واحد قادر به انتقال مي‌باشد، روي عملكرد كامپيوتر تاثير مي‌گذارد. حافظه اصلي از تراشه‌هاي DRam (ديناميكي) يا زم‌ديناميكي تشكيل مي‌شود. [1]

اسلاید 3 :

DRam

تراشه‌هاي DRam آرايه‌هاي مستطيل شكل بزرگي از سلول‌هاي حافظه اصلي با مدارهاي منطقي پشتيبان هستند كه براي خواندن و نوشتن داده‌ها در داخل آرايه‌ها مورد استفاده قرار مي‌گيرند. همچنين از يك مدار بازسازي داده‌ها براي حفظ جامعيت داده‌هاي ذخيره شده استفاده مي‌گردد.

اسلاید 4 :

FPM DRam

در DRam استاندارد كه با زمان دسترسي 60 يا 70 نانوثانيه عرضه مي‌شوند، خواندن داده‌ها توسط واحد مديريت حافظه ابتدا با فعال كردن سطر متناظر از آرايه، سپس فعال كردن ستون مناسب ارزشيابي و انتقال داده‌ها انجام مي‌شود. سپس ستون مورد نظر نيز فعال شده كه باعث wait state ناخواسته مي‌شود كه CPU بايد منتظر بماند تا حافظه كار انتقال را به پايان برساند.

اسلاید 5 :

EDO DRam

در سرعت‌هاي 50.60.70 نانوثانيه عرضه مي‌شود. حافظه‌هاي EDO DRam نيازي به غيرفعال شدن ستون و خاموش شدن بافر خروجي بيش از آغاز انتقال داده بعدي ندارد و قادر است تا 27% خواندن حافظه را سريعتر از FPU DRam انجام دهد.

اسلاید 6 :

BDEO DRam

اين نوع تكامل EDO DRam است كه در آن، از EDO, FPU استفاده مي‌كند و پيش از آنكه كنترلر بتواند داده‌ها را براي آغازگر بفرستد، بايستي منتظر آماده شدن آنها بماند.

BEDO اين wait state را برطرف نموده و در نتيجه، عملكرد سيستم را تا 100% نسبت به RFPU و 50% بيشتر از EDO استاندارد بهبود مي‌بخشد.

اسلاید 7 :

SD Ram

حافظه جديدتر SDRam (Synchronous) با شيوه متفاوتي نسبت به ساير انواع حافظه كار مي‌كند. SDRam از اين واقعيت كه اكثر دسترسي‌هاي حافظه PC به صورت متوالي هستند، بهره گرفته و براي واكش (Fetch) تمام بيت‌ها در يك Burst (سيكل انتقال) با بيشترين سرعت ممكن، طراحي شده است.

در SDRam، يك on-chip burst counter به بخش ستون آدرس امكان مي‌دهد كه با سرعت بسيار زيادي افزايش يابد و اين مساله باعث شده افزايش قابل توجهي در سرعت بازيابي اطلاعات در خواندن متوالي مي‌گردد. كنترلر حافظه، موقعيت و اندازه بلوك حافظه مورد نياز را تامين مي‌كند و تراشه SDRam بيت‌ها را با بيشترين سرعتي كه پردازنده قادر به دريافت آنهاست، تغذيه مي‌كند. [ويژگي كليدي SDRam، مزيت مهمي در مقايسه با ساير انواع حافظه ناهماهنگ (Asy) را به آن مي‌دهد. امكان‌پذير ساختن تحويل داده‌ها به خارج از تراشه با سرعت 100burst مگاهرتز به محض آنكه Burst آغاز مي‌شود. تمام بيت‌هاي باقيمانده از طول BUBT با سرعت 10ns تحويل داده مي‌شود. [1]

اسلاید 8 :

DDR DRam

همانند SRam استاندارد. اين حافظه نيز با FSB يا سرعت گذرگاه داده سيستم رابطه دارد. به عبارت ديگر، حافظه و گذرگاه، دستورالعمل‌ها را به‌طور همزمان اجرا مي‌كنند، نه اينكه يكي از آنها مجبور باشد منتظر ديگري بماند.

بطور كلي، براي هماهنگ كردن ابزارهاي منطقي انتقال داده‌ها بايد در لبه يك كلاك انجام شود. زماني كه پاس كلاك بين 0.1 نوسان مي‌كند، داده‌ها بايد يا در لبه صعودي يا در لبه نزولي منتقل شوند. DDR DRam به اين ترتيب كار مي‌كند كه اين امكان را بوجود مي‌آورد تا عملكرد خروجي بر روي تراشه‌ها در هر دو لبه صعودي و نزولي سيگنال انجام شود. به اين ترتيب، فركانس كلاك بدون افزايش در فركانس عملي، دو برابر مي‌شود، يعني با دو برابر كردن سرعت گذرگاه، براي انعكاس نرخ داده، دوبل آن محاسبه مي‌شود.

اسلاید 9 :

ارتقاء حافظه

حافظه، اخيراً در كنار ارزانتر شدن، پيچيده‌تر مي‌شود. غالباً ماژول به عنوان يك «كل» داراي يك شمار متعلقه است و تراشه هاي حافظه نصب شده بر روي اين ماژول، نيز داراي شماره قطعه متفاوتي هستند. تراشه‌ها نيز از 2 يا 3 خط نوشته بر روي خود هستند كه شامل شماره قطعه سرعت و كد تاريخ مي‌شود. اكثر شماره‌هاي قطعه با يك اختصار 2 يا 3 كاركتري شروع مي‌شوند كه شناسه توليد كننده آن هستند. براي مثال، HM براي هيتاچي، MBM براي ميتسوبيشي، MT براي ميكرون تكنولوژي. اعدادي كه پس از آن مي‌آيند، پيكربندي تراشه‌هاي حافظه را شرح مي‌دهند. مثلاً HM514400 يك پيكربندي 1M*4 است.

پس از شماره قطعه، معمولاًً يكي از كاركترهاي A, B, C, D قرار دارد كه توليدكنندگان از آن براي نمايش بازبيني حافظه استفاده مي‌كنند. در اين حال، A قديمي‌ترين و D جديدترين است.

در بسياري از موارد، يك كاركتر ديگر نيز وجود دارد كه نوع بسته‌بندي حافظه را نشان مي‌دهد، براي مثال، HM514400MS بيانگر بسته‌بندي نوع SOY است.

اسلاید 10 :

سرعت حافظه يكي از جنبه‌هاي مهم هويت آن است. يك تراشه 70MS را مي‌توان در انتهاي شماره قطعه آن شناسايي كرد. گاهي اوقات يكم خط در پشت سرعت يا سرعت در خط بعدي و يا قبلي نوشته مي‌شود. بر روي اكثر تراشه‌ها، يك تاريخ در بالا و  يا زير شماره قطعه چاپ است كه نشانگر تاريخ توليد تراشه است كه بر حسب سال و ماه است، مثل 9438 براي هفته 38 و سال 1994. اگر سوكتي خالي نباشد، بايد براي ارتقاء حافظه، ماژول‌هاي حافظه موجود را با ماژول‌هاي با ظرفيت بيشتر جايگزين كرد و بايد حافظه‌ها همه از يك نوع باشند و با حافظه‌هاي قديمي انطباق داشته باشند.

فرمت فيزيكي: بايد بدانيم كه چند پايه‌اي را مي‌پذيرد. در هنگام نصب، يك مجموعه از سيم‌ها اطمينان از شباهت آنها و اينكه ظرفيت يكساني دارند، مهم است.

توازن يا نامتوازن: حافظه Parity داراي 3.6.9.12 يا 18 تراشه بر روي هر سيم است، در حاليكه، حافظه non-parity، 2.4.8 يا 18 تراشه دارد.