دانلود مقاله CeO2

word قابل ویرایش
12 صفحه
8700 تومان
87,000 ریال – خرید و دانلود

ساختار Biepitaxid، پیوند josephson و SQUIDs : ساختار و ویژگی‌های اتصال یا پیوند josephson و SQUIDs، yBCo/CeO2/Mgo Biepitaxid را بررسی و گزارش کردیم، در اینجا CeO2 به عنوان یک لایه استفاده شده تا یک محدوده یا مرز Biepitaxid برای بلور یا ذره ایجاد کند. سطوح تابکاری نشده لایه CeO2 و سطح تابکاری شده آن توسط میکروسکوپ اتر یا (AFM) بررسی شدند. دمای مقاومت لایه نازک yBCo/CeO2/Mgo نشان می‌دهد که فرآیند تابکاری برای لایه CeO2 به منظور ایجاد لایه فیلم YBCo با کیفیت خوب ضروری است. منحنی ولتاژ جریان اتصال یا پیوند josephson عملکرد مربوط به مقاومت اتصال (RSJ) را نشان می‌دهد. بعلاوه هر دو مرحله عددی یا انتگرال و یا نیمه انتگرال Shapiro در میدان مغناطیسی بکاربرده شده صفر مشاهده شد نوسان ولتاژ مغناطیسی مدولی شده نیز برای SQUIDs دیده می‌شود.

۱- مقدمه: بدلیل توسعه و پیشرفت مدارهای مجتمع ابررسانا، High-T، اتصالات ابررسانای josephson به شکل گسترده‌ای مورد بررسی و آزمایش واقع شدند. به منظور بدست آوردن اتصالات josephson قابل کنترل و قابل دستیابی به انواع مختلف اتصالات مانند محدوده دارای لبه پله‌ای، SNS یا اساس و پایه bicrystaf استفاده شد. بهرحال این نوع مرزها معمولاً طی زمان ساخت با فرآیندهای بسیار زیادی درگیر هستند. برای ساده‌تر کردن فرآیند ساخت، اتصالات josephson محدوده دانه Biepitaxid مورد بررسی واقع شد. در این کار، CeCo2 انتخاب شد تا یک لایه برای محدوده ذره Biepitaxid باشد و روش ساده و شیمیایی حکاکی بجای فرزکاری آهن استفاده شد تا باعث جدا شدن نیمی از لایه CeCo2 از پایه Mgo شود.
SQUIDs و اتصالات josephson Biepitaxid را ساختیم. بعضی از ویژگی‌های جریان ولتاژ برای اتصالات josephson و SQUIDs مورد بررسی واقع شد. همچنین نوسان ولتاژ تقسیم شده در میدان مغناطیسی برای SQUIDs نیز بررسی شد.

۲- شرح تجربی و آزمایشی: یک سیستم آبکاری فلز مغناطیسی rf خارج از محور برای جدا کردن تمام لایه‌ها در این مبحث استفاده شده است. CeCo2 در دمای OC750 برروی سطح Mgo که با یک لایه (yBCo)800 A-thick پوشیده شده، آبکاری شد. سپس لایه yBCo / CeCo2 با استفاده از اسید هیدروکلریک جدا شد. بعد از آن، این پایه و اساس در دمای OC1100 به مدت ۱۰ ساعت تابکاری شد. برای بررسی تغییرات سطح CeCo2، ساختار سطحی لایه‌های CeCo2 تابکاری شده و تابکاری نشده با میکروسکوپ‌های (AFM) بررسی شدند و سپس یک لایه (yBCo)2000 A-thick برروی سطح تابکاری شده قرار داده شد، رسوب‌گذاری شده بعلاوه لایه نازک yBCo با یک محدوده یا مرز Biepitaxid توسط فتولیتوگرافی در یک اتصال josephson با ۵pm پهنا یا SQUIDs با یک ناحیه سوراخ ۴۰*۲۰ و پهنای اتصال بصورت طرح و نقش قرار داده شد. برای بررسی واکنش‌های میکرو ویوی اتصال، یک میکرو ویو با استفاده از آنتن دیود به این اتصال تابانده شد. برای بررسی نوسان بخش بخش میدان مغناطیسی، SQUID برروی یک سولئوئید که دارای میدان مغناطیسی موازی با سطح SQUID بود نصف شد. یک روش معمولی چهارمرحله‌ای برای اندازه‌گیری و بخش الکتریکی استفاده شد. معیار برای جریان اصلی در این مبحث بود.

شکل ۱- مقاومت دمای لایه نازک yBCo برروی a، سطح Mgo، b، سطح تابکاری نشده Mgo / CeCo2.

۳- بحث و نتیجه‌گیری: بخ منظور تأیید ویژگی خوب و مناسب لایه نازک yBCo ، مقاومت دمائی لایه نازک yBCo برروی پایه Mgo و لایه CeCo2 تابکاری نشده همانند شکل ۱ اندازه‌گیری شد. لایه yBCo برروی پایه Mgo عملکرد ابررسانایی با نشان می‌دهد. بهرحال لایه yBCo برروی لایه CeCo2 تابکاری نشده مقاومت نیمه رسانایی با افت دمای حدود k82 را نشان می‌دهد. این مقاومت نیمه رسانایی ممکن است بدلیل عنوان شده در زیر باشد. ابتدا، ترکیب yBCo تغییر می‌کند، تا برروی لایه CeCo2 تابکاری نشده آبکاری شود. ثانیاً بلور یا ذره yBCo همسطح نمی‌باشند. برای بررسی اولیه نقطه، انحراف یا خمش پرتو x برای مورد نمونه تابکاری نشده و مشخص می‌شود و در شکل ۲ نشان داده شده است. مشاهده می‌شود که تمام سطوح {o,o,n} برای yBCo و CeCo2 واضح و مشخص هستند. این موضوع نشان می‌دهد که ساختار و ترکیب لایه‌های CeCo2 و yBCo دقیق و درست است و اولین مورد ویژه و اختصاصی است. سپس سطح لایه نازک yBCo برروی لایه تابکاری نشده CeCo2 با میکروسکوپ اتمی (AFM) بررسی می‌شود که در شکل ۳ نشان داده شده است.

شکل ۲: نمونه پراکنش پرتو x برای سطح نازک Mgo / CeCo2 / yBCo. در اینجا لایه CeCo2 تابکاری نشده است.

شکل ۳: نمای سطح لایه نازک yBCo برروی لایه تابکاری نشده CeCo2. این تصویر توسط AFM گرفته شده، و ذرات منحنی و مارپیچی را نشان می‌دهد.

مشخص شده که ذرات و بلورهای حلزونی شکلی برروی سطح نازک yBCo تشکیل می‌شود که با پیکان و علامت در شکل ۳ مشخص شده است. این ذرات حلزونی یا مارپیچی حاصل بی‌نظمی و آشفتگی ساختار لایه‌ای شکل در yBCo هستند. بدلیل اینکه ویژگی‌های انتقالی yBCo بدلیل ساختار لایه‌ای آن برجسته‌تر و مهمتر است و با بهم ریختن ساختار لایه‌ای این ویژگی ها ضعیف‌تر می‌شوند، بنابراین ذرات مارپیچی مسئول مقاومت نیمه‌رسانایی لایه نازک yBCo برسطح تابکاری نشده CeCo2 هستند.

برای بهتر کردن کیفیت لایه نازک yBCo بر لایه CeCo2 ، باید Mgo که با لایه CeCo2 پوشیده شده در دمای ۱۱۰۰ درجه به مدت ۱۰ ساعت در جو یا اتمسفر اکسیژن و قبل از رسوب کردن لایه yBCo تابکاری می‌شود. مقاومت در برابر دما برای لایه نازک yBCoروی سطح تابکاری شده CeCo2در شکل ۱۰ نشان داده شده است. مشاهده شده که لایه نازک yBCo حالت ابررسانایی خوبی را با مقدار نشان می‌دهد. بنابراین فرآیند تابکاری برای لایه CeCo2 به منظور بهتر کردن کیفیت لایه‌های نازک CeCo2 / yBCo ضروری است. به منظور بررسی تغییرات لایه‌های CeCo2 قبل و بعد از تابکاری، تصاویر سطح مربوط به لایه‌های CeCo2 با FAM بررسی و در شکل ۴ نشان داده شده است. بعضی از ویژگی‌های سطح در جدول ۱ بصورت فهرست نشان داده شده است. مشخص شده که اندازه ذرات بزرگتر می‌شود. در این هنگام سطح CeCo2 پر از تابکاری ناهموارتر می‌شود.

شکل ۴: تصاویر سطحی لایه تابکاری نشده CeCo2 (a)و لایه تابکاری نشده CeCo2 (b).
این تغییرات برای بیشتر شدن لایه‌های نازک بسیار خوب است. طبق ویژگی نشان می‌دهد که اندازه ذره برای رشد و بیشتر شدن لایه نازک yBCo بر سطح CeCo2 مهم و ضروری است. منحنی‌هیا معمولی ولتاژ جریان (v-1)برای اتصالات josephson و SQUIDs در k5 و میدان مغناطیسی صفر در شکل نشان داده شده است. منحنی v-1 برای SQUIDs به شکل دایره است و نزدیک

این فقط قسمتی از متن مقاله است . جهت دریافت کل متن مقاله ، لطفا آن را خریداری نمایید
word قابل ویرایش - قیمت 8700 تومان در 12 صفحه
87,000 ریال – خرید و دانلود
سایر مقالات موجود در این موضوع
دیدگاه خود را مطرح فرمایید . وظیفه ماست که به سوالات شما پاسخ دهیم

پاسخ دیدگاه شما ایمیل خواهد شد