بخشی از مقاله
چکیده
در این کار نتایج تجربی تشکیل ساختارهاي نانومتري و میکرومتري روي سیلیکون با تابش تپهاي لیزري فمتو، پیکو و نانوثانیه را بررسی می کنیم. تصاویر میکروسکوپ جاروب الکترونی نشان می دهد که با تابش تپهاي نانوثانیه ساختارهاي به شکل مخروطی به قطر متوسط 6-3 میکرومتر و ارتفاع 40-20 میکرومتر تشکیل می شود. نتایج تجربی همچنین نشان می دهند که تحت تابش سیلیکون با تپهاي لیزري پیکو و فمتوثانیه با تعداد شاتهایی بیشتر از 1000 علاوه بر ساختارهاي میکرومتري ساختارهاي نانومتري با قطري در حدود 200-100 نانومتر و در بالاي ساختارهاي میکرومتري تشکیل می شوند. اندازه ساختارها با شدت و تعداد شاتهاي لیزري بررسی خواهد شد. لازم به ذکر است که همه آزمایشها در فشار جو انجام شده است.
مقدمه
در سالهاي اخیر تهیه و بررسی خواص اپتیکی و الکتریکی ساختارهاي نانومتري و میکرومتري نیمرساناي سیلیکون موردتوجه ویژه محققین جهان قرار گرفته است .[3-1] با کوچک کردن اندازه نیمرسانا، الکترونها، حفره ها، و یا اکسیتونها را می توان درحجم کوچک ساختار حبس کرد و از نظر تصویري انرژي ماده شبیه ترازهاي انرژي یک مولکول عمل می کند .[1] با کوچککردن ابعاد سیلیکون می توان شیدلیانی را در گستره نور مرئی800-400 - نانومتر - بر حسب اندازه ساختار بدست آورد. درصورتی که گاف انرژي سیلیکون کپه اي حدود یک الکترون ولتو داراي گذار غیر مستقیم است .[4] روشهاي متعددي براي تهیهساختارهاي نانومتري و میکرومتري روي سیلیکون بکار رفته بود5] و.[6 یکی از روشهاي مناسب و عملی براي ایجاد این ساختارهامنابع لیزر است 2] و .[3
