بخشی از مقاله
چکیده
در این مقاله، طیف تراگسیلی از محیطی با مدولاسیون ضریب شکست سینوسی، با استفاده از روش ماتریس انتقال بررسی شده است. نشان داد می شود که انتشار یک موج الکترومغناطیسی از میان این محیط شبیه به انتشار موج از میان بلور فوتونیکی با ساختار متناوب لایهاي است. موقعیت و پهناي گاف نوار ممنوعه با گام مدولاسیون ضریب شکست محیط قابل کنترل است.
مقدمه
بلور فوتونیکی یک بعدي آرایش متناوبی از دو مادة دي- الکتریک است که موجب بازتابش کامل نور در بازة طول موجی مشخصی میشود. صفر شدن ضریب تراگسیل دامنه در این بازة طول موجی - فرکانسی - ، سبب نامگذاري آن به نوار ممنوع فوتونیکی شده است. با صرف نظر کردن از جذب نوري در این لایههاي متناوب، پراکندگی و انعکاس در مرز بین دو لایه را می- توان عامل اساسی بهوجود آمدن نوارهاي ممنوع فوتونیکی برشمرد.
بلورهاي فوتونیکی داراي کاربردهاي متعددي هستند که از جمله آنها میتوان به ساخت آینههاي ديالکتریک، موجبرهاي ديالکتریک، تشدیدگرهاي لیزري و مدارهاي تمام نوري اشاره رایجکرد. بلورهاي فوتونیکی از ساختار تناوبی و یا شبه تناوبی با توزیع ضریب شکست پلهاي ساخته میشوند [1-3]؛ ولی ما در این مقاله ساختاري با مدولاسیون ضریب شکست سینوسی را مطالعه میکنیم و نشان میدهیم که چنین ساختاري میتواند به عنوان بلور فوتونیکی در نظر گرفته شود. توزیع ضریب شکست سینوسی با تداخل دو موج در یک محیط نورشکستی قابل حصول است.
در این مقاله از روش ماتریس انتقال براي به دست آوردن نوار ممنوعفوتونیکیِ محیطی با مدولاسیون ضریب شکست سینوسی استفاده شده است و نتیجه حاصل با نوار ممنوع فوتونیکی بلور لایهاي متناظر مقایسه شده است. همچنین نحوة تغییر موقعیت نوار ممنوع فوتونیکی و پهناي آن با تغییر گام مدولاسیون ضریب شکست مورد بررسی قرار داده شده است.
