بخشی از مقاله
در این مقاله یک آنتن پچ میکرواستریپ که در باند فرکانسی تراهرتز عمل می کند و بر روی یک زیر لایه فوتونیک کریستال دو بعدی ایجاد شده است مورد بررسی و شبیه سازی قرار می گیرد.به کمک این شبیه سازی آنتن طراحی شده مذکور می تواند در 5 نقطه فرکانسی در محدوده تراهرتز با راندمان تشعشعی بین 70 تا 80 درصد تشعشع کند که نشان از عملکرد بهینه و مناسب این آنتن دارد.یکی از روش های افزایش گین در آنتن های پچ میکرواستریپ استفاده از زیر لایه های ضخیم دی الکتریک بعنوان زیر لایه آنتن می باشد که این امر موجب ایجاد امواج سطحی مزاحم بر روی آنتن و تضعیف عملکرد آنتن می شود.در این مقاله با استفاده از یک ساختار فوتونیک کریستال بعنوان زیر لایه آنتن شاهد کاهش تلفات ناشی از پدیده انتشار امواج سطحی بر روی آنتن و همچنین افزایش چشمگیر گین،سمت گرایی و راندمان تشعشعی در این نوع از آنتن میکرواستریپ می باشیم.
محدوده ی فرکانسی تراهرتز طبق استاندار رایج به محدوده فرکانسی بین 0,1 تراهرتز تا فرکانس 10 تراهرتز گفته می شود.آنتنی که در این مقاله مورد شبیه سازی قرار گرفته ا ست ناحیه گ سترده ای ازاین طیف الکترومغناط سی را شامل می شود.در محدوده فرکانسی یاد شده کاربردهای زیادی وجود دارد که از جمله آنها می توان به تصویر برداری،دستگاه های پز شکی،ارتباطات بی سیم،علوم ف ضایی و نجوم و ح سگرها ا شاره کرد.در حوزه ارتباطات بی سیم فرکانس های تراهرتز مزایا و کاربردهای بیشتری نسبت به امواج مایکروویوی و میلی متری دارند - - S. Galoda, G. Singh,2007 یکی دیگر از قابلیت های استفاده از این حوزه فرکانسی استفاده از سرویس های فوق سریع بی سیم در محدوده فرکانسی 0,3 تراهرتز می باشد. در آنتن های میکروا ستریپ از روش های مختلفی از جمله افزایش ضخامت زیر لایه و یا اندازه ابعاد پچ برای افزایش گین ا ستفاده می شود،اما با افزایش ضخامت زیر لایه بخاطر بوجود آمدن تلفات نا شی از ح ضور امواج سطحی شاهد کاهش راندمان ت شع شعی آنتن می باشیم برای حل این مشکل می توان از یک زیر لایه فوتونیک کریستال در آنتن های پچ میکرواستریپ استفاده کرد.این کار باعث کاهش پیدا کردن امواج سطحی و همچنین افزایش کارایی در آنتن های پچ میکرواستریپ می گردد.همچنین از کریستال های فوتونیک برای طراحی آنتن های پچ میکرواستریپ 2 یا چند فرکانسی نیز می توان بهره برد، از این کار میتوان در افزایش عملکرد و کارایی الکتریکی آنتن در ناحیه فرکانسی مایکروویو هم استفاده کرد.در سالهای اخیر آنتن های پچ میکروا ستریپ بر روی زیر لایه های فوتونیک کری ستال که در ناحیه تراهرتز عمل می کنند طراحی شده ا ست
میکرواستریپ که زیر لایه آن یک زیر لایه فوتونیک کریستال می باشد استفاده شده است.در این مقاله یک ساختار فوتونیک کریستال دو بعدی را مورد بررسی قرار می دهیم که در محدوده فرکانسی تراهرتز قابل استفاده است و یک آنتن پچ میکرواستریپ را بر مبنای این زیر لایه طراحی خواهیم کرد.از این زیر لایه برای کاهش امواج سطحی استفاده شده است و دراین مقاله خواهیم دید که به کمک این زیر لایه پدیده انتشار امواج سطحی الکترومغناطیسی که بخاطر افزایش ضخامت زیر لایه بوجود آمده است با استفاده از زیر لایه فوتونیک کریستال کاهش پیدا خواهد کرد و در نتیجه تاثیر آن بر سمت گرایی،گین و راندمان تشعشعی را مشاهده خواهیم کرد.
