پدانلود پاورپوینت بررسی ارتباط کاواک با طیف خروجی در لیزر نیمه هادی GaAs

PowerPoint قابل ویرایش
18 صفحه
11900 تومان
119,000 ریال – خرید و دانلود

لطفا به نکات زیر در هنگام خرید پدانلود پاورپوینت بررسی ارتباط کاواک با طیف خروجی در لیزر نیمه هادی GaAs توجه فرمایید.

1-در این مطلب، متن اسلاید های اولیه پدانلود پاورپوینت بررسی ارتباط کاواک با طیف خروجی در لیزر نیمه هادی GaAs قرار داده شده است

2-در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل اسلاید ها میباشد ودر فایل اصلی این پاورپوینت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

اسلاید ۱ :

نور لیزر

تعریف: نور تقویت شده به وسیله گسیل القایی

Light Amplitude Stimulated Emission of Radiation

LASER

مشخصات نور لیزر:

۱٫تکفامی     ۲٫درخشایی       ۳٫همدوسی     ۴٫جهتمندی

اصل تعادل گرمایی:بنابر قانون بولتزمان اتمها ابتدا ترازهای پایین را اشغال و سپس تراز بالا را اشغال میکنند.

اسلاید ۲ :

برهمکنش امواج الکترومغناطیسی با اتم

.۱گسیل القایی

.۲گسیل خود بخودی

.۳جذب

اسلاید ۳ :

شرط اساسی ایجاد نور لیزر

ایجاد وارونی انبوهی(inverse population):

روش های ایجاد وارونی انبوهی:

.۱دمش اپتیکی 

.۲دمش الکتریکی

هدف از دمش این است که فرآیند گسیل القایی بر فرآیند جذب غلبه کند یعنی: بهره > اتلاف

اسلاید ۴ :

انواع کاواک لیزری

.۱کاواک پایدار(stable)

.۲کاواک ناپایدار(unstable)

اسلاید ۵ :

انواع مواد نیمه هادی

.۱نوعp     (دهنده الکترون ) As

.۲نوعn    ) گیرنده الکترون) Ga

در مواد نیمه هادی بر خلاف فلزات طیف انرژی از نوارهای خیلی پهن تشکیل شده است.

احتمال اشغال حالت انرژی مورد نظر با f(E)

اسلاید ۶ :

نیمه هادی ذاتی و غیر ذاتی

Øدر نیمه هادی ذاتی تعداد الکترون و حفره برابر است.

Øدر نیمه هادی غیر ذاتی تعداد الکترون و حفره برابرنیست.

اسلاید ۷ :

انواع باز ترکیب و گاف نوار انرژی

.۱باز ترکیب تابشی: نتیجه آن تولید فوتون است.

.۲باز ترکیب غیر تابشی: نتیجه آن اتلاف انرژی بصورت گرما(فونون) است.

Øگاف مستقیم GaAs   در این مواد تولید فوتون داریم.

Øگاف غیر مستقیم Ge,Si   در این مواد تولید فونون داریم.

اسلاید ۸ :

آلیاژهای نیمه هادی و رابطه آن با ضریب شکست

ترکیبات مواد نیمه هادی مختلف آلیاژهای گوناگون با گاف مستقیم و غیر مستقیم می دهند.

اسلاید ۹ :

انواع ساختارهای لیزر نیمه هادی

روشهای گسیل نور در ساختارها

گسیلنده های سطحی

گسیلنده های کناری

اساس کار همه ساختارها, خواص موجبری میباشد

اسلاید ۱۰ :

ساختارتخت بلند(FP )

Øدر ساختار تخت یکنواخت به دلیل یکنواختی محیط اطراف لایه فعال اصل بازتاب کلی برای فوتون تولید شده اتفاق نمی افتد؛ بنابراین چگالی جریان آستانه بالایی دارند.

Øدر ساختار چندگانه اصل بازتاب کلی برای فوتون تولید شده رخ میدهد.(به دلیل وجود لایه های مختلف ضرایب شکست متفاوت است.)

 

مطالب فوق فقط متون اسلاید های ابتدایی پاورپوینت بوده اند . جهت دریافت کل ان ، لطفا خریداری نمایید .
PowerPoint قابل ویرایش - قیمت 11900 تومان در 18 صفحه
119,000 ریال – خرید و دانلود
سایر مقالات موجود در این موضوع
دیدگاه خود را مطرح فرمایید . وظیفه ماست که به سوالات شما پاسخ دهیم

پاسخ دیدگاه شما ایمیل خواهد شد