بخشی از مقاله
چکیده
رسانندگی تونلی را در یک پیوند ابررسانای موج- / sعایق/فلز عادی تشکیل شده روی سطح یک عایق توپولوژیک بطور نظری مورد مطالعه قرار دادیم. آثار ضخامت لایه عایق، بایاس و ولتاژ گیت اعمال شده در ناحیه عایق و ابررسانا روی رسانندگی مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج بدست آمده نشان می دهد که رسانندگی بایاس صفر برحسب ضخامت لایه عایق و ولتاژ گیت اعمال شده بر لایه عایق رفتار نوسانی دارد.
مقدمه
عایق های توپولوژیک نظیر - Bi2Se3 - حالت جدیدی از ماده کوانتمی می باشند که در دو بعد حالت های لبه ای و در سه بعد حالت های سطحی رسانا دارند و حجم آنها عایق است. حاملین بار - شبه ذرات - در عایقهای توپولوژیک فرمیونهای دیراک بدون جرم هستند. از ویژگیهای جالب عایقهای توپولوژیک این است که می توان با نشاندن یک لایه ابررسانا بر روی سطح آنها ابررسانایی را از طریق اثر تقارب در سطح آنها القا کرد.
اخیرآ مطالعه رسانندگی در پیوندهای تونلی تشکیل شده روی سطح عایق های توپولوژیک نظیر - Bi2Se3 - توجه زیادی را به خود جلب کرده است .[1-2] در این مقاله به بررسی خواص رسانندگی در پیوند ابررسانای موج /sعایق/فلز عادی PACS No. 72; 74 - NM/I/s-wave SC - تشکیل شده روی سطح یک عایق توپولوژیک پرداخته ایم. در این بررسی اثر ضخامت لایه عایق و ولتاژ گیت اعمال شده بر لایه های عایق و ابررسانا را روی رسانندگی مورد بررسی قرار می دهیم.
مدل نظری
یک پیوند NM/I/s-wave SC تشکیل شده برروی سطح یک عایق توپولویک - صفحه - xy را در نظر می گیریم. ناحیه فلز عادی را در x<0 و ناحیه ابررسانا را در x>d و ناحیه عایق را در 0<x<d در نظر می گیریم. لایه عایق را می توان با اعمال میدان الکتریکی از طریق یک گیت ایجاد کرد. ابررسانایی در ناحیه x>d از طریق یک لایه ابررسانا که در بالای این ناحیه قرار داده می شود و بواسطه اثر تقارب در سطح این ناحیه از عایق توپولوژیک القا می شود.
