بخشی از مقاله
چکیده: در این مقاله ابتدا یک سلول دو پیوندی متشکل از InGaN/CIGS را طراحی و با نرم افزار سیلواکو شبیه سازی کردیم در این کاراز یک لایه CdS به عنوان پوشش ضد انعکاس استفاده شده و بعد تطبیق جریان در سلول بالایی و پایینی با تغییر ضخامت پوشش ضد انعکاس شده و سپس بعد از برقراری تطبیق جریان برای CIGS باند گپ های مختلفی از 1.07 الکترون-ولت تا 1.69 الکترون-ولت در نظر گرفته شده است و به ماکزیمم مقدار بازده در این حالت رسیده اند و بعد غلظت ناخالصی نوع n لایه InGaNرا تغییر داده شده است و نتایج را با هم مقایسه شده و در بهینه ترین حالت Voc=1. 8 [V] وIsc=2.939×10-8 mA/cm2 در این حالت بازده به 40.42% رسیده است.
.1 مقدمه1
امروزه کمبود سوختهای فسیلی و آلودگیهای زیست محیط ناشی از مصرف آن، یکی از بزرگترین معضلات جوامع بشری می باشد. در عین حال با پیشرفت روز افزون تکنولوژی ، استفاده از انرژی های تابشی خورشید و باد به عنوان سر آمد انرژی های موجود، در اختیار بشر قرار گرفته است چرا که دسترسی به آن آسان و مقدار آن نیز نامحدود است ضمن آنکه استفاده از این انرژی ها، هیچگونه آلودگی برای محیط زیست ندارد و به این دلیل به نام انرژی پاک یا انرژی سبز نام گرفته است که همان انرژیهای نو و میراث با ارزشی برای نسلهای آینده است. در این پروژه ساختار سلول خورشیدی با نرم افزار سیلواکو شبیه سازی شده است.
نمودار ولتاژ-جریان لایه پایینی در شکل - 9 - آورده شده است. در شکل - 10 - در سلول پایینی جریان اتصال کوتاه ISC=2.939×10-8 mA/cm2 و ولتاژ مدار باز Voc=1.1 V می باشد. برای بدست آوردن نمودار کلی ساختار پیشنهادی باید بر حسب کمترین جریان اتصال کوتاه سلول بالایی و پایینی و مجموع ولتاژ اتصال کوتاه و سلول باشد که در این سلول ولتاژ اتصال کوتال کل ساختار Voc=1.8V و جریان اتصال کوتاه ISC=2.939×10-8 mA/cm2 می باشد.
