بخشی از مقاله
چکیده
در این مقاله ترابرد کوانتومی در ابرشبکه نیمرسانا در حضور میدان هاي الکتریکی و مغناطیسی و در چهارچوب مدل تک مینی باند بررسی می شود. رابطه پاشندگی ممنتوم انرژي می تواند براي محاسبه معادلات حرکت الکترون هاي محبوس در مینی باند به کار رود. محاسبات عددي نشان می دهد اعمال یک میدان مغناطیسی که با محور ابرشبکه زاویه θ می سازد سبب گذار حرکت آشوبی به یک حرکت منظم می شود.
مقدمه
ترابرد الکترونی در ابرشبکه هاي نیمرسانا به علت خواص جالب توجه این ساختارها از سالهاي گذشته تاکنون مورد توجه بوده است 1] و . [ 2 از جمله این خواص می توان از امکان هدایت دیفرانسیلی منفی در حضور میدانهاي الکتریکی قوي نام برد [1]، هدایت دیفرانسیلی منفی به سبب حرکت الکترون درون مینی باند 3] و [4 و در محدوده اي از ممنتوم که در آن جرم موثر الکترون منفی است، ایجاد می شود. در مقاله حاضر حرکت الکترونها در مینی باند یک ابرشبکه نیمرسانا تحت اثر یک میدان الکتریکی تناوبی و یک میدان مغناطیسی از لحاظ آشوبی یا تناوبی بودن، مورد بررسی قرار می گیرد.
در مقاله هاي دیگر [5] رفتار الکترونها در ابرشبکه تحت اثر یک میدان الکتریکی که در راستاي رشد بلور اعمال می شود، بررسی شده است. در مقاله قبلی مولفین [4] نیز با استخراج معادلات حرکت یک تک الکترون از طریق معادلات لورنتس در حضور میدان هاي الکتریکی و مغناطیسی، حرکت یک تک الکترون در مینی باند ابرشبکه بررسی شد. اما در اینجا با منظور نمودن تابع توزیع الکترون در محاسبات، معادلات حرکت براي سرعت میانگین و انرژي میانگین تمامی الکترونهاي پایین ترین مینی باند ابرشبکه به دست می آید و از آنجا که سرعت میانگین الکترون متغیري است که مستقیما به مشاهدات آزمایشگاهی مربوط می شود در این مقاله داده ها به حالت واقعی نزدیکتر خواهد شد. در بخش 2 این مقاله، معادلات حرکت الکترون ها استخراج گردیده است و در بخش 3، نمودارهاي سري زمانی سرعت میانگین و نماي لیاپانوف که با استفاده از روش رانگ کوتاي مرتبه پنجم محاسبه شده اند، ترسیم گردیده و نتایج به دست آمده بیان شده است.
