بخشی از مقاله
چکیده
در این مقاله با استفاده از روش ماتریس انتقال، خواص قابلیت عبوردهی بلورهای فوتونی یک بعدی ناهمسانگرد حاوی جفت لایه غیر خطی که با یک لایه میانی خطی از هم جدا شده اند مورد مطالعه قرار گرفته است. نشان داده شده است که در چنین ساختار هایی دوپایداری اپتیکی بوجود آمده شدیدا به ضریب شکست لایه خطی میانی و ضریب شکست خطی لایه های غیر خطی وابسته است که مقادیر مربوط به آستانه کلید زنی در این ساختارها می تواند با انتخاب مناسب پارامترهای مربوطه بصورت چشم گیری کاهش یابد.
مقدمه
دوپایداری اپتیکی، مبحثی است که در سال های اخیر بررسی های زیادی روی آن انجام گرفته است . بخشی از دلیل اهمیت آن، به امکان بکارگیری ابزارهای دوپایداری اپتیکی به عنوان حافظه یا
عناصر کلیدزنی در کامپیوترهای نوری و تحلیل داده ها بر می گردد. دوپایداری اپتیکی ، وقتی ایجاد می شود که ما برای یک ورودی ثابت دو خروجی پایدار داشته باشیم و این یعنی، زمینه برای ایجاد یک حافظه دوتایی فراهم می شود.
2,1] عملکرد دوپایداری در سیستم های اپتیکی بطور نظری پیش بینی و گاهی اوقات در شرایط خاصی بطور تجربی مشاهده شده است . به عنوان مثال لیزرهای دو مدی، لیزرهای زیمن، لیزرهای با جاذب اشباع پذیر، نوسانگرهای پارامتریک، بازتاب از سطوح غیر خطی به خصوص لایه های غیر خطی به کار رفته در بلورهای فوتونی .[4,3] دوپایداری اپتیکی در بلور های فوتونی حاوی جفت لایه نقص توسط محققین مختلف مورد مطالعه قرار گرفته است .[5] در این مقاله نیز با استفاده از بلورهای فوتونی یک بعدی ناهمسانگرد [9-6]، روشی برای کنترل رفتار دوپایداری اپتیکی ارائه شده است.
یک جفت لایه نقص غیر خطی که با یک لایه خطی از هم جدا شده اند در وسط بلور فوتونی قرار داده شده است، این ساختار مرکب باعث ایجاد دوپایداری اپتیکی می شود که آستانه آن به شدت به لایه خطی میانی وابسته است . تغییرات آستانه دوپایداری با تغییرات لایه میانی بررسی شده است و نشان داده شده با کاهش ضریب شکست لایه خطی میانی آستانه دوپایداری کاهش می یابد. فرمولبندی و اسختار مسئله ساختار مورد استفاده در این مقاله یک بلور فوتونی حاوی سه لایه نقص بصورت - AB - 4 CDC - BA - 4 می باشد . که در اینجا B, A نشانگر لایه های تشکیل دهنده بلور فوتونی، C نشانگر لایه های نقص غیر خطی به ضخامت dc و D نشانگر لایه نقص خطی به ضخامت dd است که در مرکز ساختار قرار گرفته است.
