دانلود فایل پاورپوینت افزاره های غیر فعال

بخشی از پاورپوینت

--- پاورپوینت شامل تصاویر میباشد ----

اسلاید 1 :

سلف ها

Øساختار پایه

Øمعادلات اندوکتانسی

Øخازن های پارازیتی

Øمکانیسم  تلفات

Øمدل سازی سلف

ساختار های سلف

Ø سلف های متقارن

Ø اثر لایه محافظ زمین شده

Ø سلف های حلقوی پشته ای

ترانسفورماتور ها

Ø  ساختار ها

Ø اثر خازن تزویج

Ø مدل سازی ترانسفورماتورها

خازن های متغیر

Ø پیوند های PN

Ø خازن های متغیر MOS

Ø مدل سازی خازن متغیر

اسلاید 2 :

در صورت استفاده از سلف خارج از تراشه :

تزویج بین سیمک های اتصال با دنیای بیرون از تراشه

ایجاد المان های پارازیتی  که در فرکانس های بالا مهم خواهند شد 

اسلاید 3 :

Ø وجود تزویج متقابل بین هر دو دور باعث میشود که سلف های حلقوی اندوکتانس بیشتری  نسبت به خطوط مستقین با همان طول داشته باشند.

Øبرای حداقل کردن مقاومت های سری و خازن های پارازیتی سلف های حلقوی در بالا ترین لایه فلزی ساخته میشوند ( که ضخیم ترین لایه ها هستند ).

اسلاید 4 :

اندوکتانس یک سلف حلقوی با N دور دارای                               جمله خواهد بود .

دو عامل نرخ رشد بر حسب تابعی از N  را محدود میکند :

.iحلقه های درونی کوچکترند و در نتیجه دارای اندوکتانس کمتری هستند .

.ii ضریب تزویج متقابل  برای دورهای مجاور تنها حدود 7. است و برای دور های غیر مجاور کاهش می یابد .

اسلاید 5 :

یک سلف حلقوی مربعی دو بعدی توسط 4 کمیت مشخص می گردد:

ابعاد بیرونی ِDout

تعداد دور ها N

پهنای خط W

فاصله خطوط S

اسلاید 6 :

این کار باعث کاهش قطر دور های داخلی میشود که موجب کاهش اندوکتانس خواهد شد .

 افزایش بیشتر W ممکن است که باعث کاهش دورها شود و اندوکتانس را کم کند .

اسلاید 7 :

هدف: کمینه کردن ضریب تزویج مغناطیسی بین اضلاع روبروی داخلی ترین دور.

بهتر است قطری 5تا 6 برابر W  برای حفره داخلی انتخاب شود .

اسلاید 8 :

تنوع این ساختار ها نشان دهنده تلاش های بسیار زیاد طراحان برای بهبود تقابل های موجود در طراحی سلف هاست (برای مثال تقابل بین ضریب کیفیت و مقدار خازن  یا بین اندوکتانس و ابعاد )

اسلاید 9 :

این فرمول برای سلف های 5nH تا 50nH کمتر از 10% خطا دارد .

اسلاید 10 :

سلف های حلقوی دارای مشکل خازن های پارازیتی هستند :

.iخازن های صفحه موازی و خازن های لبه به بستر

.iiخازن های لبه های مجاور