بخشی از پاورپوینت
--- پاورپوینت شامل تصاویر میباشد ----
اسلاید 1 :
سلف ها
Øساختار پایه
Øمعادلات اندوکتانسی
Øخازن های پارازیتی
Øمکانیسم تلفات
Øمدل سازی سلف
ساختار های سلف
Ø سلف های متقارن
Ø اثر لایه محافظ زمین شده
Ø سلف های حلقوی پشته ای
ترانسفورماتور ها
Ø ساختار ها
Ø اثر خازن تزویج
Ø مدل سازی ترانسفورماتورها
خازن های متغیر
Ø پیوند های PN
Ø خازن های متغیر MOS
Ø مدل سازی خازن متغیر
اسلاید 2 :
در صورت استفاده از سلف خارج از تراشه :
تزویج بین سیمک های اتصال با دنیای بیرون از تراشه
ایجاد المان های پارازیتی که در فرکانس های بالا مهم خواهند شد
اسلاید 3 :
Ø وجود تزویج متقابل بین هر دو دور باعث میشود که سلف های حلقوی اندوکتانس بیشتری نسبت به خطوط مستقین با همان طول داشته باشند.
Øبرای حداقل کردن مقاومت های سری و خازن های پارازیتی سلف های حلقوی در بالا ترین لایه فلزی ساخته میشوند ( که ضخیم ترین لایه ها هستند ).
اسلاید 4 :
اندوکتانس یک سلف حلقوی با N دور دارای جمله خواهد بود .
دو عامل نرخ رشد بر حسب تابعی از N را محدود میکند :
.iحلقه های درونی کوچکترند و در نتیجه دارای اندوکتانس کمتری هستند .
.ii ضریب تزویج متقابل برای دورهای مجاور تنها حدود 7. است و برای دور های غیر مجاور کاهش می یابد .
اسلاید 5 :
یک سلف حلقوی مربعی دو بعدی توسط 4 کمیت مشخص می گردد:
ابعاد بیرونی ِDout
تعداد دور ها N
پهنای خط W
فاصله خطوط S
اسلاید 6 :
این کار باعث کاهش قطر دور های داخلی میشود که موجب کاهش اندوکتانس خواهد شد .
افزایش بیشتر W ممکن است که باعث کاهش دورها شود و اندوکتانس را کم کند .
اسلاید 7 :
هدف: کمینه کردن ضریب تزویج مغناطیسی بین اضلاع روبروی داخلی ترین دور.
بهتر است قطری 5تا 6 برابر W برای حفره داخلی انتخاب شود .
اسلاید 8 :
تنوع این ساختار ها نشان دهنده تلاش های بسیار زیاد طراحان برای بهبود تقابل های موجود در طراحی سلف هاست (برای مثال تقابل بین ضریب کیفیت و مقدار خازن یا بین اندوکتانس و ابعاد )
اسلاید 9 :
این فرمول برای سلف های 5nH تا 50nH کمتر از 10% خطا دارد .
اسلاید 10 :
سلف های حلقوی دارای مشکل خازن های پارازیتی هستند :
.iخازن های صفحه موازی و خازن های لبه به بستر
.iiخازن های لبه های مجاور
