دانلود فایل پاورپوینت ترانزیستورهای اثر میدان (FET)

PowerPoint قابل ویرایش
20 صفحه
11900 تومان
119,000 ریال – خرید و دانلود

لطفا به نکات زیر در هنگام خرید دانلود فایل پاورپوینت ترانزیستورهای اثر میدان (FET) توجه فرمایید.

1-در این مطلب، متن اسلاید های اولیه دانلود فایل پاورپوینت ترانزیستورهای اثر میدان (FET) قرار داده شده است

2-در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل اسلاید ها میباشد ودر فایل اصلی این پاورپوینت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

— پاورپوینت شامل تصاویر میباشد —-

اسلاید ۱ :

ترانزیستور اثر میدان

Field Effect Transistor

کلمه ترانزیستور از دو کلمه ترانس (انتقال) و رزیستور (مقاومت) تشکیل شده است و قطعه ای است که از طریق انتقال مقاومت به خروجی باعث تقویت می شود.

ترانزیستور اثر میدان، دسته‌ای ازترانزیستورها هستند که مبنای کار کنترل جریان در آن‌ها توسط یک میدان الکتریکی صورت می‌گیرد. با توجه به اینکه در این ترانزیستورها تنها یک نوع حامل بار (الکترون آزاد یا حفره) در ایجاد جریان الکتریکی دخالت دارند، می‌توان آن‌ها را جزو ترانزیستورهای تک‌قطبی محسوب کرد

اسلاید ۲ :

اگر قطعه ای سیلیکن با ناخالصی نوع n به دو سر یک باتری وصل کنیم جریانی با توجه به میزان مقاومت سیلیکن در مدار جاری می شود

اسلاید ۳ :

نفوذ فلز سه ظرفیتی (مانند ایندیم) و ایجاد ناحیه ای از نوع P با غلظتی بیش از ناحیه n

و ایجاد اتصالی به نام گیت

اسلاید ۴ :

اگر هر سه پایه سورس و درین را اتصال کوتاه کنیم هیچ جریانی از کانال نمی گذرد و دو ناحیه P و n توسط ناحیه تخلیه از هم جدا می شوند.

اسلاید ۵ :

بایاس ترانزیستور و نحوه کارکرد آن

اتصال منبع ولتاژ بین دو پایه درین و سورس به طوری که درین نسبت به سورس مثبت تر باشد باعث :

افزایش ولتاژ باعث عبور جریان از کانال می شود

اتصال pn در گرایش معکوس قرار می گیرد

ناحیه تخلیه (سد) در داخل کانال نفوذ می کند

با افزایش بیشتر ولتاژ کانال مسدود می شود. (ولتاژ بحرانی Vp)

در هنگام رسیدن به ولتاژ بحرانی جریان FET به حداکثر (جریان اشباع درین – سورس) می رسد

افزایش بیش از حد ولتاژ

درین – سورس باعث شکست بهمنی یا سوختن ترانزیستور می شود

اسلاید ۶ :

اتصال منبع ولتاژ بین گیت و سورس در جهت معکوس باعث:

– گسترش هر چه سریعتر ناحیه  تخلیه در کانال

در صورتیکه ولتاژ درین – سورس را بیش از ولتاژ بحرانی انتخاب کنیم:

با افزایش ولتاز گیت سورس سرانجام جریان درین صفر خواهد شد. که به این ولتاژ ، ولتاژ قطع یا آستانه نامیده می شود.

اسلاید ۷ :

درعمل به منظور داشتن مشخصات الکتریکی بهتر ناحیه گیت را در دو طرف کانال ایجاد می کنند  و این دو ناحیه از داخل به هم متصل می شود.

اسلاید ۸ :

ناحیه قطع : رسیدن ولتاژ VGS به ولتاژ آستانه و تسخیر کانال توسط ناحیه تخلیه  هیچ جریانی از درین نمی گذرد

ناحیه خطی: در این ناحیه ترانزیستور مانند مقاومت خطی عمل می کند و مقدار آن با مقدار VGS تغییر می کند.

ناحیه اشباع: در این ناحیه ترانزیستور مانند منبع جریان ثابت عمل می کند شرط حضور ترانزیستور در این ناحیه :

VDS ³ VP + VGS

اسلاید ۹ :

ترانزیستور اثر میدان با گیت عایق شده

Isolated Gate Field Effect Transistor (IGFET)

به دلیل افزایش جریان نشتی گیت – سورس با افزایش دمای محیط و کاهش مقاومت ورودی آن  گیت ترانزیستور با یک لایه اکسید سیلیکون از کانال جدا شده و هیچ جریانی از آن عبور نمی کند . (مقاومت ورودی بی نهایت)

ترانزیستورجدید MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) نامیده می شود.

اسلاید ۱۰ :

عرض کانال (W) و طول کانال (L)

در نوع N channel بدنه از نوع p و در نوع p کانال بدنه از نوع n ساخته می شود.

مطالب فوق فقط متون اسلاید های ابتدایی پاورپوینت بوده اند . جهت دریافت کل ان ، لطفا خریداری نمایید .
PowerPoint قابل ویرایش - قیمت 11900 تومان در 20 صفحه
119,000 ریال – خرید و دانلود
سایر مقالات موجود در این موضوع
دیدگاه خود را مطرح فرمایید . وظیفه ماست که به سوالات شما پاسخ دهیم

پاسخ دیدگاه شما ایمیل خواهد شد