بخشی از مقاله
چکیده
در ترانزیستورهاي اثر میدان ساختارهاي نامتجانس AlGaN/GaN ترازهاي تله اي سطحی متناظر با نواحی گیت نشده بین گیت ودرین و نیز ترازهاي تله اي موجود در لایه AlGaN باعث نشت جریان گیت از فلز گیت به گاز الکترونی دو بعدي وبه درین می شوند.وهمچنین این ترازها از جمله عوامل ایجاد نویز در این ترانزیستورها می باشند.در این مقاله یک مدل تئوري بر اساس تونل زنی وابسته به ترازهاي تله اي لایه AlGaN ونیز جریانهاي نشتی ایجاد شده بواسطه ترازهاي تله اي سطحی ارائه شده است.جریان نشتی محاسبه شده از مدل فوق سازگاري بسیار خوبی با نتایج تجربی دارد.
مقدمه
ترانزیستورهاي با تحرك پذیري بالاي الکترونی بر مبناي
ساختارهاي نیتریدي به دلیل توان بالاي خروجی این قطعات، به
عنوان یکی ازکاندیداي مهم در مدارهاي فرکانس بالا در دهه هاي اخیر مورد توجه بوده است. در ساختار
نامتجانسAlGaN/GaN تشکیل گاز الکترونی دو بعدي با
چگالی بالا در فصل مشترك AlGaN وGaN حتی در غیاب هر
گونه آلایش عمدي بدلیل خاصیت پیزوالکتریکی ساختارهاي نیتریدي امکانپذیراست. یکی از موانع اصلی درپیشرفت و دستیابی به توانهاي بالا در این قطعات وجود یکسري نویزها در این قطعات
است .از جمله عوامل ایجاد نویز در این ترانزیستورها نشت جریان
گیت است که به دلیل حضور ترازهاي تله اي بوجود می
آید1]و.[2 کمینه کردن جریان نشتی از گیت بمنظور کاربرد این
ترانزیستورها در مدارها وسیستمهاي با نویز پایین امري ضروري
است. [3]
مدلبندي و محاسبات :
براي محاسبه جریان نشتی از گیت دو حالت مجزاي زیر را مورد
قراربررسی میدهیم:
