بخشی از پاورپوینت
--- پاورپوینت شامل تصاویر میباشد ----
اسلاید 1 :
ترانزيستور اثر ميدان
Field Effect Transistor
كلمه ترانزيستور از دو كلمه ترانس (انتقال) و رزيستور (مقاومت) تشكيل شده است و قطعه اي است كه از طريق انتقال مقاومت به خروجي باعث تقويت مي شود.
ترانزیستور اثر میدان، دسته‌ای ازترانزيستورها هستند که مبنای کار کنترل جریان در آن‌ها توسط یک ميدان الكتريكي صورت می‌گیرد. با توجه به اینکه در این ترانزیستورها تنها یک نوع حامل بار (الکترون آزاد یا حفره) در ایجاد جریان الکتریکی دخالت دارند، می‌توان آن‌ها را جزو ترانزیستورهای تک‌قطبی محسوب کرد
اسلاید 2 :
اگر قطعه اي سيليكن با ناخالصي نوع n به دو سر يك باتري وصل كنيم جرياني با توجه به ميزان مقاومت سيليكن در مدار جاري مي شود
اسلاید 3 :
نفوذ فلز سه ظرفيتي (مانند اينديم) و ايجاد ناحيه اي از نوع P با غلظتي بيش از ناحيه n
و ايجاد اتصالي به نام گيت
اسلاید 4 :
اگر هر سه پايه سورس و درين را اتصال كوتاه كنيم هيچ جرياني از كانال نمي گذرد و دو ناحيه P و n توسط ناحيه تخليه از هم جدا مي شوند.
اسلاید 5 :
اتصال منبع ولتاژ بين دو پايه درين و سورس به طوري كه درين نسبت به سورس مثبت تر باشد باعث :
-افزايش ولتاژ باعث عبور جريان از كانال مي شود
-اتصال pn در گرايش معكوس قرار مي گيرد
-ناحيه تخليه (سد) در داخل كانال نفوذ مي كند
-با افزايش بيشتر ولتاژ كانال مسدود مي شود. (ولتاژ بحراني Vp)
اسلاید 6 :
اتصال منبع ولتاژ بين گيت و سورس در جهت معكوس باعث:
- گسترش هر چه سريعتر ناحيه تخليه در كانال
در صورتيكه ولتاژ درين – سورس را بيش از ولتاژ بحراني انتخاب كنيم:
با افزايش ولتاز گيت سورس سرانجام جريان درين صفر خواهد شد. كه به اين ولتاژ ، ولتاژ قطع يا آستانه ناميده مي شود.
اسلاید 7 :
درعمل به منظور داشتن مشخصات الكتريكي بهتر ناحيه گيت را در دو طرف كانال ايجاد مي كنند و اين دو ناحيه از داخل به هم متصل مي شود.
اسلاید 8 :
ناحيه قطع : رسيدن ولتاژ VGS به ولتاژ آستانه و تسخير كانال توسط ناحيه تخليه هيچ جرياني از درين نمي گذرد
ناحيه خطي: در اين ناحيه ترانزيستور مانند مقاومت خطي عمل مي كند و مقدار آن با مقدار VGS تغيير مي كند.
ناحيه اشباع: در اين ناحيه ترانزيستور مانند منبع جريان ثابت عمل مي كند شرط حضور ترانزيستور در اين ناحيه :
VDS ³ VP + VGS
اسلاید 9 :
ترانزيستور اثر ميدان با گيت عايق شده
Isolated Gate Field Effect Transistor (IGFET)
به دليل افزايش جريان نشتي گيت – سورس با افزايش دماي محيط و كاهش مقاومت ورودي آن گيت ترانزيستور با يك لايه اكسيد سيليكون از كانال جدا شده و هيچ جرياني از آن عبور نمي كند . (مقاومت ورودي بي نهايت)
ترانزيستورجديد MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) ناميده مي شود.
اسلاید 10 :
-عرض کانال (W) و طول کانال (L)
-در نوعN channel بدنه از نوع p و در نوع p کانال بدنه از نوع n ساخته می شود.
