بخشی از پاورپوینت
--- پاورپوینت شامل تصاویر میباشد ----
اسلاید 1 :
دستگاه هاي STEM براي بدست آوردن اطلاعات ساختاري، شيميايي و مورفولوژيكي درباره نانوذرات در مقياس اتمي يا نانومتري ساخته مي شوند.
ويژگي جالب ديگر STEM انعطاف پذيري بسيار زياد آن در سيستم آشكارسازي است.
سيگنالهاي مختلفي كه از سطح مشخصي از نمونه توليد مي شوند مي توانند بطور جداگانه يا بطور همزمان جمع آوري شوند و براي بدست آوردن اطالاعات تكميلي از نمونه مورد استفاده قرار گيرند.
اسلاید 2 :
هيچ چرخشي بين صفحات شييء و تصوير وجود ندارد و بزرگنمايي ميكروسكوپ مي تواند بدون كانوني كردن مجدد باريكه الكتروني براي حصول يك تصوير كانوني ، تغيير داده شود.
قدرت تفكيك تصاوير STEM توسط اندازه باريكه برخوردي، پايداري ميكروسكوپ و ويژگي هاي ذاتي فرايندهاي توليد سيگنال تعيين مي شود.
تصويربرداري چندگانه و آشكارسازهاي تحليلي براي جمع آوري همزمان چندين سيگنال كه بتوانند بطور مجزا يا به همراه هم نمايش داده شوند، ايجاد شده اند.
اسلاید 3 :
قابليت مهم دستگاه هاي STEM، تشكيل باريكه هاي با روشنايي بالا است.
براي ايجاد چنين باريكه الكتروني نانومتري، استفاده از تفنگ نشر ميداني (FEG) براي ايجاد سيگنالهاي قوي به منظور مشاهده و ثبت تصاوير، طيف ها و الگوهاي تفرق در STEM ضروري است.
منبع FEG حداقل 103 برابر روشنايي بيشتر از فيلامانهاي تنگستن يا aB6 كه بطور متداول در دستگاه هاي TEM استفاده مي شوند، دارند در حاليكه قطر منبع الكترون فقط حدود 4-5 nm است.
اسلاید 4 :
با جمع آوري الكترونهاي تفرق يافته با زاويه زياد توسط يك آشكارساز حلقوي، تصاوير زمينه تيره حلقوي با زاويه زياد (HAADF) يا تصاوير كنتراست Z براي بدست آوردن اطلاعاتي از تغييرات ساختاري در مقياس اتمي، بدست مي آيند.
طيف سنجي اتلاف انرژي الكترون (EE S) و طيف سنجي پراكنش انرژي اشعه X (XEDS) مي توانند داده هاي كمّي در مورد تغييرات ساختار الكتروني، تركيب عنصري يا حالت اكسيداسيون مربوط به ساختارهاي ناهمگن بدست دهند.
تركيب تكنيك هاي XEDS و EE S با تكنيك تصويربرداري HAADF مي تواند اطلاعات جزئي در مورد تركيب، شيمي و ساختار الكتروني و كريستالي نانوذرات را با قدرت تفكيك و حساسيت اتمي حاصل كند.
اسلاید 5 :
بطور متداول دو نوع دستگاه STEM مورد استفاده قرار مي گيرد: STEM مجزا (DSTEM) و STEM متصل به TEM .
يك ميكروسكوپ DSTEM، براي توليد باريكه هاي الكتروني با روشنايي بالا و اندازه زيرنانومتري، از تفنگ نشرميداني سرد استفاده مي كند.
اندازه پروب هاي الكتروني مورد استفاده در TEM/STEM معمولا بسيار بزرگتر از DSTEM است. بعلاوه، عملكرد ملحقات STEM انعطاف پذيري DSTEM را ندارد.
اسلاید 6 :
وقتي يك باريكه الكتروني ظريف با يك كريستال نازك داراي جهت گيري در امتداد محور اصلي، برخورد مي كند، يك الگوي تفرق الكترون حاوي مجموعه اي از ديسك هاي تفرق بدست مي آيد.
هر حلقه داراي نيمه زاويه مشابه است كه توسط اندازه روزنه شييء تعيين مي شود ،آنگاه ديسك هاي تفرق همپوشاني مي كنند.
اسلاید 7 :
تصاوير (a) BF STEM
(b) BF STEM با زاويه زياد ازنانوذرات Pt قرار گرفته روي كريستاليتهاي گاما آلومينا
اسلاید 8 :
تصاوير با قدرت تفكيك اتمي (a) BF STEM
(b) BF STEM با زاويه زياد از ناحيه از كريستال GaAs كه در راستاي محور منطقه [110] جهت گيري كرده است.
اسلاید 9 :
نشر الكترونهاي ثانويه از يك نمونه جامد را مي توان به يك فرايند سه مرحله اي توصيف كرد: توليد، انتقال و نشر.
فرايند نفوذ الكترون هاي ثانويه داخلي را فرايند آبشاري انتقال SE نيز مي گويند.
فرايند نشر به خواص سطحي نمونه مانند تابع كار، جاذب هاي سطحي، رسوب لايه هاي نازك، آلودگي نمونه، سختي سطح و غيره حساس است.
اسلاید 10 :
در يك دستگاه STEM، نمونه معمولا داخل قطبك هاي يك لنز شييء بشدت تهييج شده قرار داده مي شود. الكترونهاي ثانويه ساطع شده ابتدا يك ميدان مغناطيسي قوي را قبل از جمع آوري توسط آشكارساز SE تجربه مي كنند.
وقتي SEها به سمت بالا يا پايين محور نوري ميكروسكوپ حركت مي كنند، زواياي نشر آنها متراكم مي شود. بعد از اينكه بصورت مارپيچي از لنزهاي شييء خارج شدند، SEها از طريق يك ميدان الكتريكي معكوس توسط آشكارساز SE جمع مي شوند.
