دانلود مقاله حافظه های فلش

بخشی از مقاله

حافظه هاي فلش

حافظه (DOM( DiskOnModole
ماجول حافظه بر روي IDE در مدل هاي 40 و 44 پين با قاب و يا بدون قاب در ظرفيت هاي مختلف تا 512 مگابايت.

حافظه EmbedDisk ---جديد!!!
ماجولهاي حافظه EmbedDisk بر روي IDE و SATA در ظرفيتهاي مختلف تا 2 گيگا بايت و با سرعت بالا

ماجول حافظه بر روي چيپ (DOC) محصول M-Systems
حافظه هاي فلش DOC با ظرفيت هاي متفاوت از 8 مگابايت تا 256 مگابايت
انواع ROM

توليد تراشه های ROM مستلزم صرف وقت و هزينه بالائی است .بدين منظور اغلب توليد کنندگان ، نوع خاصی از اين نوع حافظه ها را که PROM )Programmable Read-Only Memory) ناميده می شوند ، توليد می کنند.اين نوع از تراشه ها با محتويات خالی با قيمت مناسب عرضه شده و می تواند توسط هر شخص با استفاده از دستگاههای خاصی که Programmer ناميده می شوند ، برنامه ريزی گردند. ساختار اين نوع از تراشه ها مشابه ROM بوده با اين تفاوت که در محل برخورد هر سطر و ستون از يک فيوز( برای اتصال به يکديگر) استفاده می گردد. يک شارژ که از طريق يک ستون ارسال می گردد از طريق فيوز به يک سلول پاس داده شده و بدين ترتيب به يک سطر Grounded که نماينگر مقدار "يک" است ، ارسال خواهد شد. با توجه به اينکه تمام سلول ها دارای يک فيوز می باشند، درحالت اوليه ( خالی )، يک تراشه PROM دارای مقدار اوليه " يک" است . بمنظور تغيير مقدار يک سلول به صفر، از يک Programmer برای ارسال يک جريان خاص به سلول مورد نظر، استفاده می گردد.ولتاژ بالا، باعث قطع اتصال بين سطر و ستون (سوختن فيوز) خواهد کرد. فرآيند فوق را " Burning the PROM " می گويند. حافظه های PROM صرفا" يک بار قابل برنامه ريزی هستند. حافظه های فوق نسبت به RAM شکننده تر بوده و يک جريان حاصل از الکتريسيته ساکن، می تواند باعث سوخته شدن فيوز در تراشه شده و مقدار يک را به صفر تغيير نمايد. از طرف ديگر ( مزايا ) حافظه ای PROM دارای قيمت مناسب بوده و برای نمونه سازی داده برای يک ROM ، قبل از برنامه ريزی نهائی کارآئی مطلوبی دارند.

حافظه EPROM
استفاده کاربردی از حافظه های ROM و PROM با توجه به نياز به اعمال تغييرات در آنها قابل تامل است ( ضرورت اعمال تغييرات و اصلاحات در اين نوع حافظه ها می تواند به صرف هزينه بالائی منجر گردد)حافظه هایEPROM)Erasable programmable read-only memory) پاسخی مناسب به نياز های مطرح شده است ( نياز به اعمال تغييرات ) تراشه های EPROM را می توان چندين مرتبه باز نويسی کرد. پاک نمودن محتويات يک تراشه EPROM مستلزم استفاده از دستگاه خاصی است که باعث ساطع کردن يک فرکانس خاص ماوراء بنفش باشد.. پيکربندی اين نوع از حافظه ها مستلزم استفاده از يک Programmer از نوع EPROM است که يک ولتاژ را در يک سطح خاص ارائه نمايند ( با توجه به نوع EPROM استفاده شده ) اين نوع حافظه ها ، نيز دارای شبکه ای مشتمل از سطر و ستون می باشند. در يک EPROM سلول موجود در نقطه برخورد سطر و ستون دارای دو ترانزيستور است

.ترانزيستورهای فوق توسط يک لايه نازک اکسيد از يکديگر جدا شده اند. يکی از ترانزيستورها Floating Gate و ديگری Control Gate ناميده می شود. Floating gate صرفا" از طريق Control gate به سطر مرتبط است. ماداميکه لينک برقرارباشد سلول دارای مقدار يک خواهد بود. بمنظور تغيير مقدار فوق به صفر به فرآيندی با نام Fowler-Nordheim tunneling نياز خواهد بود .Tunneling بمنظور تغيير محل الکترون های Floating gate استفاده می گردد.يک شارژ الکتريکی بين 10 تا 13 ولت به floating gate داده می شود.شارژ از ستون شروع و پس از ورود به floating gate در ground تخليه خواهد گرديد. شارژ فوق باعث می گردد که ترانزيستور floating gate مشابه يک "پخش کننده الکترون " رفتار نمايد . الکترون های مازاد فشرده شده و در سمت ديگر لايه اکسيد به دام افتاده و يک شارژ منفی را باعث می گردند. الکترون های شارژ شده منفی ، بعنوان يک صفحه عايق بين control gate و floating gate رفتار می نمايند.دستگاه خاصی با نام Cell sensor سطح شارژ پاس داده شده به floating gate را مونيتور خواهد کرد. در صورتيکه جريان گيت بيشتر از 50 درصد شارژ باشد در اينصورت مقدار "يک" را دارا خواهد بود.زمانيکه شارژ پاس داده شده از 50 درصد آستانه عدول نموده مقدار به "صفر" تغيير پيدا خواهد کرد.يک تراشه EPROM دارای گيت هائی است که تمام آنها باز بوده و هر سلول آن مقدار يک را دارا است.

بمنظور باز نويسی يک EPROM می بايست در ابتدا محتويات آن پاک گردد. برای پاک نمودن می بايست يک سطح از انرژی زياد را بمنظور شکستن الکترون های منفی Floating gate استفاده کرد.در يک EPROM استاندارد ،عمليات فوق از طريق اشعه ماوراء بنفش با فرکانس 253/7 انجام می گردد.فرآيند حذف در EPROM انتخابی نبوده و تمام محتويات آن حذف خواهد شد. برای حذف يک EPROM می بايست آن را از محلی که نصب شده است جدا کرده و به مدت چند دقيقه زير اشعه ماوراء بنفش دستگاه پاک کننده EPROM قرار داد.

حافظه های EEPROM و Flash Memory
با اينکه حافظه ای EPROM يک موفقيت مناسب نسبت به حافظه های PROM از بعد استفاده مجدد می باشند ولی کماکان نيازمند بکارگيری تجهيزات خاص و دنبال نمودن فرآيندهای خسته کننده بمنظور حذف و نصب مجدد آنان در هر زمانی است که به يک شارژ نياز باشد. در ضمن، فرآيند اعمال تغييرات در يک حافظه EPROM نمی تواند همزمان با نياز و بصورت تصاعدی صورت پذيرد و در ابتدا می بايست تمام محتويات را پاک نمود.حافظه های Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)EEOPROM) پاسخی مناسب به نيازهای موجود است . در حافظه های EEPROM تسهيلات زير ارائه می گردد:

برای بازنويسی تراشه نياز به جدا نمودن تراشه از محل نصب شده نخواهد بود.
برای تغيير بخشی از تراشه نياز به پاک نمودن تمام محتويات نخواهد بود.
اعمال تغييرات در اين نوع تراشه ها مستلزم بکارگيری يک دستگاه اختصاصی نخواهد بود.

در عوض استفاده از اشعه ماوراء بنفش، می توان الکترون های هر سلول را با استفاده از يک برنامه محلی و بکمک يک ميدان الکتريکی به وضعيت طبيعی برگرداند. عمليات فوق باعث حذف سلول های مورد نظر شده و می توان مجددا" آنها را بازنويسی نمود.تراشه های فوق در هر لحظه يک بايت را تغيير خواهند داد.فرآيند اعمال تغييرات در تراشه های فوق کند بوده و در مواردی که می بايست اطلاعات با سرعت تغيير يابند ، سرعت لازم را نداشته و دارای چالش های خاص خود می باشند.

توليدکنندگان با ارائه Flash Memory که يک نوع خاص از حافظه های EEPROM می باشد به محدوديت اشاره شده پاسخ لازم را داده اند.در حافظه Flash از مدارات از قبل پيش بينی شده در زمان طراحی ، بمنظور حذف استفاده می گردد ( بکمک ايجاد يک ميدان الکتريکی). در اين حالت می توان تمام و يا بخش های خاصی از تراشه را که " بلاک " ناميده می شوند، را حذف کرد.اين نوع حافظه نسبت به حافظه های EEPROM سريعتر است ، چون داده ها از طريق بلاک هائی که معمولا" 512 بايت می باشند ( به جای يک بايت در هر لحظه ) نوشته می گردند. شکل زير حافظه BIOS را که نوع خاصی از حافظه ROM مدل Flash memory است ، نشان می دهد.

EPROM سر نام عبارت (Erasable Programmable Read Only Memory ) است که به آن حافظه فقط خواندني قابل برنامه ریزي نيز گفته ميشود. EPROM ها تراشه هاي حافظه غير فرار ( پايدار ) هستند که پس از ساخت برنامه ريزي ميشوند. تفاوت اين نوع حافظه با حافظه PROM ، قابليت پاک شدن برنامه هاي درون آن ميباشد. در اين تراشه ها اشعه ماوراء بنفش قوي ميتواند اتصالهاي قطع شده تراشه را دوباره برقرار کند. اگر چه قيمت EPROM ها بسيار بيشتر از DROM ها است اما اگر تغييرات زيادي در برنامه ريزي اعمال گردد، EPROM مقرون بصرفه خواهد بود.

يا حافظه با دسترسي اتفاقي مغناطيسي
زمانيکه کامپيوتر را روشن مي کنيد مثل تلويزيون يا راديو، فورا روشن نمي شود بلکه چند دقيقه براي مرحله Boot شدن طول مي کشد. MRAM يا حافظه با دسترسي اتفاقي مغناطيسي، توانائي ذخيره اطلاعات بيشتر را دارا مي باشد، به اطلاعات سريعتر دستيابي دارد و از برق کمي نيز استفاده مي نمايد. چنين حافظه اي براي ذخيره بيتهاي اطلاعات به جاي نيروي برق از خاصيت مغناطيسي استفاده مي کند. در تراشه MRAM ، براي ذخيره بيتهاي اطلاعات، نياز به مقدار کمي الکتريسيته است. چنين مقدار کمي از الکتريسيته، پلاريته هر سل حافظه را در تراشه تغيير مي دهد. زمانيکه خطوط کلمات و بيتها در يک تراشه همديگر را قطع مي نمايند، سل حافظه ايجاد مي گردد. هر کدام از اين سلها بخشي از اطلاعات را که به شکل 1 يا 0 است را ذخيره مي نمايند. حافظه با دسترسي اتفاقي مغناطيسي مثل حافظه فلش جزء حافظه هاي غيرفرار است يعني تراشه، حالت جامد دارد و بخشهاي متحرک در آن وجود ندارد.

شرکت سازنده تراشه اعلام کرد که flash memory

شرکت AMDسازنده تراشه اعلام کرد که Flash memory کم مصرف آن هم اکنون آماده استفاده برای کارخانجات ميباشد. با ولتاژمصرفي 1.8 ولت اين چيپ انرژی کمتری را نسبت به چيپ های استاندارد 3 ولتي AMD مصرف ميکند. شرکت AMD قبلا هم Flash memory های با ولتاژ مصرفي 1.8 را به فروش رسانده بود اما اين شرکت اعلام کرده که نوع جديد که نام Am29BDS640G را به خود گرفته است تا 95 درصد انرژي اتلافي آن نسبت به محصولات مشابه کمتر است.اين چيپ در ابتدا به صورت 64 مگابيت آماده ميباشدFlash Memory ها برای نگهداری اطلاعات در تلفنهای سلولي وPDA ها و تجهيزات شبکه بکار ميروند.اين نوع از حافظه به خاطر اينکه ميتوانند اطلاعات را به هنگام قطع برق هم در خود نگهداری کند به طور خاص برای تلفنهای سلولي و PDA ها مفيد ميباشد.

با توجه با اينکه نسل بعدی تلفنها از حافظه های بزرگتر و سريعتر استفاده ميکنند و پردازنده آنها هم به نوبه خود به انرژی بيشتری نياز دارد , لذا استفاده از تجهيزاتي مانند Flash Memory ها به سازنده اين امکان را ميدهد که عمر بيشتری را برای باطری فراهم کنند و تلفنهايي در اندازه های کوچکتر توليد کنند. در صورت استفاده نکردن از چنين تجهيزاتي آنها مجبور خواهند بودکه برای استفاده از باطريهای بزرگتر تلفنهای بزرگتر بسازند ويا اينکه تلفنهای کوچکتر با عمر باطري کمتري داشته باشند. ساختن Flash Memory های با انواع متعدد و کارايي جديد همواره برای AMD مهم بوده استاين شرکت اکثردر آمدش از راه فروش تجهيزاتي مانند Flash Memory ها و پردازنده های سيستم مانند Athlon XP ميباشد.با وجود اينکه شرکت AMD در چند فصل اخير تعداد بسيار زيادی چيپ و پردازنده را به فروش رسانده است اما بازار فروش Flash Memory آن هم اکنون شاهد افت ميباشد.
با وجود اينکه فروش پردازنده های شرکت AMD در فصل اول به رکورد بالايي دست يافت اما درآمد حاصل از فروش Flash Memory ها به 160 ميليون دلار رسيد د

ر حالي که در همان فصل در سال قبل اين در آمد برابر 411 ميليون دلار بوده است. اما AMD در فصل دوم شاهد جهت گيري معکوس بود:فروش پردازنده ها افت کرده ولي فروش Flash Memory ها افزايش اما AMD ميتواند در درآمد اين فصل خود شاهد رشد باشد و اين در صورتي خواهد بود که فروش قطعاتي (مانند چيپ های با مصرف برق کمتر) رشد کنند. AMDبه تازگي Mirror Bit flash memory را معرفي کرده است که اين امر ميتواند کمکي به اين شرکت برای فروش بيشتر باشد.

از آنجايي که چيپ Am29BDS640G موجب مصرف برق کمتر ميشود Mirror Bit هم موجب افزايش ظرفيت ذخيره سازي ميشود. هر دو چيپ احتمالا در انواع مختلفي از تلفنها استفاده ميشوند. AMD همچنين اين نوع Flash memory را در بسته بندی چند چيپه هم خواهد فروخت .اين امر به سازنده اين امکان را ميدهد که در هر بار بيش از يک فلش چيپ را به فروش برساند و علاوه بر آن حافظه را به 128 مگابيت افزايش دهد. اين بسته بندی همچنين ميتواند فلش چيپ را با انواع ديگری از چيپ حافظه جفت کند(مانند چيپ های static RAM ).

حافظه هاي flash
اوايل فوريه سال 2003 يعني حدود 4ماه پيش ، خبري جالب در رسانه هاي خبري رايانه اي پخش شد: شرکت Dell که بزرگترين سازنده و توليد کننده رايانه شخصي در دنياست ، قصد دارد فلاپي درايو را از فهرست ملزومات رايانه هايش حذف کند و آن را به صورت optional و اختياري ارائه کند. اين خبر در نگاه اول عجيب به نظر مي رسد ، اما از آن جا که همگي ما با فلاپي ديسک کار کرده ايم ، با کمي تفکر دليل چنين تصميمي را در مي يابيم

مدتهاست ديگر حجم 4/1 مگابايتي فلاپي ديسک ها کارآيي خوبي براي انتقال فايلهاي حجيم کاربران ندارد. در واقع ، حجم اطلاعات و فايلهاي کاربران به قدري بالا رفته است که نه تنها يک فلاپي ديسک که يک بسته 10تايي فلاپي ديسک هم ديگر به درد کاربر نمي خورد و اگر هم به درد بخورد، حمل و نقل داده ها را بسيار مشکل مي کند. پس همگي قبول داريم عمر فلاپي ديسک سرآمده است ، اما سوالي که يقينا ذهن خواننده را پس از خواندن اين خبر به خود مشغول مي کند، جايگزين پيشنهادي Dell به جاي فلاپي ديسک است .

همه مي خواهند بدانند چه وسيله اي جايگزين فلاپي ديسک مي شود و به عنوان حافظه قابل حمل و نقل به کار گرفته مي شود. در نظر اول ، بيشتر افراد متوجه سي دي و cdwriter مي شوند و آن را کانديدا مي کنند، اما چندي است محصول ديگري نيز مطرح شده است که مشخصات مناسبي دارد و مي تواند جايگزين خوبي براي فلاپي ديسک باشد و آن چيزي نيست جز. pen drive لابد مي پرسيد pen Drive چيست؟ pen Drive يک حافظه با شکل و قيافه يک خودکار يا ماژيک و در اندازه شست دست شماست . اين حافظه که حجمي بين 16مگابايت تا 512مگابايت دارد، از طريق پورت USB به رايانه شما متصل مي شود و پس از اتصال به عنوان يک درايو جديد در محيط سيستم عامل شما قابل استفاده است . اگر از سيستم عاملهاي ويندوز xp.2000, ME لينوکس يا Mac os 9.0استفاده مي کنيد، کافي است pen Drive را به پورت USB رايانه خود متصل کنيد، تا در همان لحظه توسط رايانه شناسايي شود و شما امکان استفاده از آن را بيابيد، اما در صورتي که از ويندوز 98 SE استفاده مي کنيد، نياز به درايور pen Drive نيز خواهيد داشت . پس از شناخته شدن اين حافظه کوچک به عنوان يک درايو جديد، شما امکان خواندن ، نوشتن و پاک کردن اطلاعات را روي اين حافظه خواهيد داشت . روي pen Driveيک LED وجود دارد که همان نقش LED درايو فلاپي را دارد. يعني هنگامي که روشن و در حال چشمک زدن است ، به شما خاطرنشان مي کند pen Drive در حال تبادل داده با رايانه است .

اگر در چنين زماني pen Drive را از پورت USB جدا کنيد مقداري از اطلاعات را از دست خواهيد داد. pen Drive را هم مي توان همانند فلاپي ديسک write protect کرد و سوئيچي مخصوص اين کار دارد. پس مي توانيد زماني که مي خواهيد از نوشتن روي آن و يا پاک کردن اطلاعات از روي آن جلوگيري کنيد، سوئيچ مذکور را به کار گيريد. ضمنا استفاده از اين سوئيچ براي جلوگيري از ويروسي شدن pen Drive توصيه مي شود. از آنجا که pen Drive از حافظه نوع flash استفاده مي کند، از نظر تئوري اطلاعات ذخيره شده روي آن تا 10سال قابل دستيابي هستند. حافظه flash يا flash memory حافظه اي غير فرار است که در آن هر سلول قابل برنامه ريزي است و تعداد زيادي از سلولها که به آنها بلوک ، سکتور يا صفحه (page) گفته مي شود، قابل پاک شدن در يک لحظه هستند. حافظه هاي flash براي نگهداري اطلاعات نيازي به باتري ندارند و لذا حجم ، وزن و مصرف برق وسايل را پايين مي آورند. اطلاعات درون حافظه flash قابل تغيير هستند و مي توان ذخيره سازهاي حجيمي را از اين نوع حافظه ساخت

حافظه flash در مقايسه با هارد ديسک و فلاپي ديسک سرعت دسترسي بالاتري به اطلاعات دارد و از طرف ديگر در مقابل شوک ، مقاومت بيشتري از خود نشان مي دهد. سرعت انتقال اطلاعات در pen Drive حدود 12مگابيت در ثانيه است که سرعتي خوب براي يک وسيله ذخيره ساز به حساب مي آيد. pen Drive را مي توان همانند يک هارد ديسک معمولي روي شبکه به اشتراک گذارد ، حتي در صورتي که رايانه شما امکان بوت شدن و بالا آمدن از روي وسايل متصل شده از طريق پورت USB را داشته باشد ، شما مي توانيد pen Drive خود را فورمت و Bootable کنيد تا از اين نظر هم pen Drive از فلاپي ديسک هاي قديمي کم نياورد.

با آن که هنوز استفاده از اين نوع حافظه چندان رايج و فراگير نشده است ،اما قيمت آن در حال حاضر نيز نسبتا مناسب است . شرکت Dell درصدد است نمونه 16مگابايتي آن را که حدود 20دلار قيمت دارد، به عنوان جايگزين فلاپي ديسک روي رايانه هايش بگذارد. خوب است بدانيد انواع ديگري از اين نوع حافظه با شکل و قيافه ظاهري متفاوت نيز به بازار آمده اند که به آنها Thumb memory يا حافظه شستي و cool drive و... نيز گفته مي شود که همگي از همان نوع حافظه flashاستفاده مي کنند و لذا نام flash memory را نيز يدک مي کشند و از طرف ديگر وسيله ارتباطي تمامي آنها با رايانه همان پورت USB است . اگر تا به حال به فکر خريد يکي از اين حافظه ها براي خود افتاده ايد، بد نيست بدانيد از چندي پيش نمونه هاي مختلف آن در بازار رايانه ايران نيز با قيمتي مناسب يافت مي شوند. پس اگر از فلاپي ديسک هاي خود خسته شده ايد و cdwriter شما مرتب سي دي مي سوزاند و شما را کلافه مي کند بد نيست سري به بازار بزنيد و با خريد يک pen Drive ، انتقال اطلاعات را، آن هم در قالب خودکاري در جيب ، امتحان کنید.

حافظه ها ي الكترونيكي با اهداف متفاوت و به اشكال گوناگون تاكنون طراحي و عرضه شده اند. حافظه فلش ، يك نمونه از حافظه هاي الكترونيكي بوده كه براي ذخيره سازي آسان و سريع اطلاعات در دستگاههائي نظير : دوربين هاي ديجيتال ، كنسول بازيهاي كامپيوتري و ... استفاده مي گردد. حافظه فلش اغلب مشابه يك هارد استفاده مي گردد تا حافظه اصلي .
در تجهيزات زير از حافظه فلش استفاده مي گردد : • تراشهBIOS موجود در كامپيوتر
• CompactFlash كه در دوربين هاي ديجيتال استفاده مي گردد .
• SmartMedia كه اغلب در دوربين هاي ديجيتال استفاده مي گردد
• Memory Stick كه اغلب در دوربين هاي ديجيتال استفاده مي گردد .
• كارت هاي حافظه PCMCIA نوع I و II
• كارت هاي حافظه براي كنسول هاي بازيهاي ويدئويي

مباني حافظه فلش
حافظه فلاش يك نوع خاص از تراشه هاي EEPROM است . حافظه فوق شامل شبكه اي مشتمل بر سطر و ستون است . در محل تقاطع هر سطر و يا ستون از دو ترانزيستور استفاده مي گردد. دو ترانزيستور فوق توسط يك لايه نازك اكسيد از يكديگر جدا شده اند. يكي از ترانزيستورها Floating gate و ديگري Control gate خواهد بود. Floatino gate صرفا" به سطر (WordLine) متصل است . تا زمانيكه لينك فوق وجود داشته باشد در سلول مربوطه مقدار يك ذخيره خواهد بود. بمنظور تغيير مقدار يك به صفر از فرآيندي با نام Fowler-Nordheim tunneling استفاده مي گردد. از Tunneling بمنظور تغيير محل الكترون ها در Floating gate استفاد مي شود. يك شارژ الكتريكي حدود 10 تا 13 ولت به floating gate داده مي شود. شارژ از ستون شروع ( bitline) و سپس به floating gate خواهد رسيد .در نهايت شارژ فوق تخليه مي گردد( زمين ) .

شارژ فوق باعث مي گردد كه ترانزيستور floating gate مشابه يك "پخش كننده الكترون " رفتار نمايد . الكترون هاي مازاد فشرده شده و در سمت ديگر لايه اكسيد به دام افتاد و يك شارژ منفي را باعث مي گردند. الكترون هاي شارژ شده منفي ، بعنوان يك صفحه عايق بين control gate و floating gate رفتار مي نمايند.دستگاه خاصي با نام Cell sensor سطح شارژ پاس داده شده به floating gate را مونيتور خواهد كرد. در صورتيكه جريان گيت بيشتر از 50 درصد شارژ باشد ، در اينصورت مقدار يك را دارا خواهد بود.زمانيكه شارژ پاس داده شده از 50 درصد آستانه عدول نموده مقدار به صفر تغيير پيدا خواهد كرد.يك تراشه EEPROM داراي گيت هائي است كه تمام آنها باز بوده و هر سلول آن مقدار يك را دارا در اين نوع حافظه ها ( فلش) ، بمنظور حذف از مدارات پيش بيني شده در زمان طراحي ( بكمك ايجاد يك ميدان الكتريكي) استفاده مي گردد. در اين حالت مي توان تمام و يا بخش هاي خاصي از تراشه را كه " بلاك " ناميده مي شوند، را حذف كرد.اين نوع حافظه نسبت به حافظه هاي EEPROM سريعتر است ، چون داده ها از طريق بلاك هائي كه معمولا" 512 بايت مي باشند ( به جاي يك بايت در هر لحظه ) نوشته مي گردند.

كارت هاي حافظه فلش

تراشه BIOS در كامپيوتر، متداولترين نوع حافظه فلش است . كارت هاي SmartMedia و ComapctFlash نيز نمونه هاي ديگري از حافظه هاي فلش بوده كه اخيرا" متداول شده اند. از كارت هاي فوق بعنوان "فيلم هاي الكترونيكي" در دوربين هاي ديجيتال، استفاده مي گردد .كارتهاي حافظه براي بازيهاي كامپيوتري نظير Sega و PlayStation نمونه هاي ديگري از حافظه هاي فلش مي باشند. استفاده از حافظه فلش نسبت به هارد داراي مزاياي زير است :
• حافظه هاي فلش نويز پذير نمي باشند.
• سرعت دستيابي به حافظه هاي فلش بالا است .
• حافظه هاي فلش داراي اندازه كوچك هستند.
• حافظه فلش داراي عناصر قابل حركت ( نظير هارد ) نمي باشند.
قيمت حافظه هاي فلش نسبت به هارد بيشتر است .
منبع :www.srco.ir

1. حافظه های الکترونيکی با اهداف متفاوت و به اشکال گوناگون تاکنون طراحی و عرضه شده اند. حافظه فلش ، يک نمونه از حافظه های الکترونيکی بوده که برای ذخيره سازی آسان و سريع اطلاعات در دستگاههائی نظير : دوربين های ديجيتال ، کنسول بازيهای کامپيوتری و ... استفاده می گردد. حافظه فلش اغلب مشابه يک هارد استفاده می گردد تا حافظه اصلی .
در تجهيزات زير از حافظه فلش استفاده می گردد :
تراشه BIOS موجود در کامپيوتر

CompactFlash که در دوربين های ديجيتال استفاده می گردد .
SmartMedia که اغلب در دوربين های ديجيتال استفاده می گردد
Memory Stick که اغلب در دوربين های ديجيتال استفاده می گردد .
کارت های حافظه PCMCIA نوع I و II
کارت های حافظه برای کنسول های بازيهای ويدئويی

مبانی حافظه فلش
حافظه فلاش يک نوع خاص از تراشه های EEPROM است . حافظه فوق شامل شبکه ای مشتمل بر سطر و ستون است . در محل تقاطع هر سطر و يا ستون از دو ترانزيستور استفاده می گردد. دو ترانزيستور فوق توسط يک لايه نازک اکسيد از يکديگر جدا شده اند. يکی از ترانزيستورها Floating gate و ديگری Control gate خواهد بود. Floatino gate صرفا" به سطر (WordLine) متصل است . تا زمانيکه لينک فوق وجود داشته باشد در سلول مربوطه مقدار يک ذخيره خواهد بود. بمنظور تغيير مقدار يک به صفر از فرآيندی با نام Fowler-Nordheim tunneling استفاده می گردد. از Tunneling بمنظور تغيير محل الکترون ها در Floating gate استفاد می شود. يک شارژ الکتريکی حدود 10 تا 13 ولت به floating gate داده می شود. شارژ از ستون شروع ( bitline) و سپس به floating gate خواهد رسيد .در نهايت شارژ فوق تخليه می گردد( زمين ) .شارژ فوق باعث می گردد

که ترانزيستور floating gate مشابه يک "پخش کننده الکترون " رفتار نمايد . الکترون های مازاد فشرده شده و در سمت ديگر لايه اکسيد به دام افتاد و يک شارژ منفی را باعث می گردند. الکترون های شارژ شده منفی ، بعنوان يک صفحه عايق بين control gate و floating gate رفتار می نمايند.دستگاه خاصی با نام Cell sensor سطح شارژ پاس داده شده به floating gate را مونيتور خواهد کرد. در صورتيکه جريان گيت بيشتر از 50 درصد شارژ باشد ، در اينصورت مقدار يک را دارا خواهد بود.زمانيکه شارژ پاس داده شده از 50 درصد آستانه عدول نموده مقدار به صفر تغيير پيدا خواهد کرد.يک تراشه EEPROM دارای گيت هائی است که تمام آنها باز بوده و هر سلول آن مقدار يک را دارا است. در اين نوع حافظه ها ( فلش) ، بمنظور حذف از مدارات پيش بينی شده در زمان طراحی ( بکمک ايجاد يک ميدان الکتريکی) استفاده می گردد. در اين حالت می توان تمام و يا بخش های خاصی از تراشه را که " بلاک " ناميده می شوند، را حذف کرد.اين نوع حافظه نسبت به حافظه های EEPROM سريعتر است ، چون داده ها از طريق بلاک هائی که معمولا" 512 بايت می باشند ( به جای يک بايت در هر لحظه ) نوشته می گردند. کارت های

حافظه فلش
تراشه BIOS در کامپيوتر، متداولترين نوع حافظه فلش است . کارت های SmartMedia و ComapctFlash نيز نمونه های ديگری از حافظه های فلش بوده که اخيرا" متداول شده اند. از کارت های فوق بعنوان "فيلم های الکترونيکی" در دوربين های ديجيتال، استفاده می گردد .کارتهای حافظه برای بازيهای کامپيوتری نظير Sega و PlayStation نمونه های ديگری از حافظه های فلش می باشند. استفاده از حافظه فلش نسبت به هارد دارای مزايای زير است :

2. حافظه های فلش نويز پذير نمی باشند.
سرعت دستيابی به حافظه های فلش بالا است .
حافظه های فلش دارای اندازه کوچک هستند.
حافظه فلش دارای عناصر قابل حرکت ( نظير هارد ) نمی باشند.
قيمت حافظه های فلش نسبت به هارد بيشتر است .

شرکت سامسونگ به تازگی ابتکار جدیدی در زمینه تامین حافظه موردنیاز رایانه‌های شخصی به خرج داده است.
به گزارش بخش خبر شبكه فن آوري اطلاعات ايران ، از خبرگزاري سلام، این شرکت قصد دارد از ماه آگوست تولید انبوه دیسک‌های جامدی را آغاز کند که در آنها از تراشه‌های رایانه‌ای و نه صفحات متعدد مکانیکی برای ذخیره سازی اطلاعات استفاده شده استاین در حالی است که تا به امروز در هارد دیسک‌ها از همین صفحه‌ها برای ذخیره سازی اطلاعات استفاده می‌شد. انتظار می‌رود که قیمت این حافظه‌ها هم بسیار اندک باشد. انتظار می‌رود که این حافظه‌های فلاش ابتدا در نوت‌بوک‌ها و tablet pc ها به کار گرفته شوندقرار است در ابتدا مدل‌های 4، 8 و 16 گیگابایتی این حافظه‌ها تولید شوند. در صورت موفقیت سامسونگ عمر هارد درایوهای قدیمی به پایان خواهد رسید.