بخشی از پاورپوینت
--- پاورپوینت شامل تصاویر میباشد ----
اسلاید 1 :
مقدمه
منطق TT با استفاده از ترانزیستورهای دو قطبی ساخته میشود که به عنوان سوئیچ اشباع عمل میکنند.
تاخیر ناشی از خارج کردن سوئیچ از حالت اشباع یک عامل مهم در محدود کردن سرعت این منطق است که البته روشهائی برای غلبه بر آن ارائه شده است.
امروزه مدارات Schottky TT بصورت گسترده ای در کاربردهائی که نیاز به ارتباط با سرعت بالا با مدارات بیرونی دارند نظیر مادربرد ها بکار میروند.
اسلاید 2 :
مدار سوئیچ
یک سوئیچ TT با استفاد از یک ترانزیستور و دو مقاومت ساخته میشود. از اینرو به آن resistor–transistor ogic (RT ) نیز گفته میشود.
ترانزیستور در دو وضعیت قطع و یا اشباع (روشن) عمل میکند.
یک مشکل جدی این مدار تقابل بین fan-out و مقدار swing خروجی است.
وقتی ترانزیستور در ناحیه اشباع قرار میگیرد، خروجی برابر با VO = V CES شده و در سطح منطقی صفر خواهد بود.
وقتی ترانزیستور قطع است جریان کلکتور آن صفر بوده و خروجی برابر با ولتاژ منبع تغذیه خواهد بود. VOH= V CC
اما با اتصال خروجی به سایر گیتها (داشتن fan-out) جریانی از مقاومت عبور کرده و مقدار VOH افزایش می یابد.
اسلاید 3 :
تغییر خروجی در اثر fan-out
اگر خروجی یک گیت RT به تعدادی گیت( که برای سادگی مشابه فرض میشوند) وصل شود در اثر جریان کشیدن این گیتها مقدار خروجی تحت تاثیر قرار میگیرد.
برای محاسبه اثر گیت های بار میتوان آنها را با معادل تونن خود جایگزین نمود.
اسلاید 4 :
بعلت قطع بون ترانزیستور میتوان مقدار ولتاژ خروجی را از تقسیم ولتاژ بدست آورد.
بنابر این مقدار نوسان خروجی برابر خواهد بود با
مقدار VOH و به تبع آن مقدار حاشیه امنیت نویزبا افزایش N یعنی مقدار fan-out کاهش می یابد.
اسلاید 5 :
گیت NOR
اعمال 1 به هر یک از ورودیها باعث میشود تا ترانزیستور مربوطه به اشباع رفته و خروجی صفر شود.
اسلاید 6 :
گیت NAND
در مدار روبرو اگر ورودی هر سه ترانزیستور 1 باشد، همه آنها اشباع شده و خروجی به سطح منطقی صفر میرسد که برابر است با
VO =M VCES
در این مدار با افزایش fan-in مقدار خروجی VO خراب میشود.
مشکل دیگر مدار این است که مقدار VIHبرای ورودی های مختلف آن متفاوت است. برای ترانزیستور A مقدار آن برابر با یک گیت معمولی بوده اما برای هر ترانزیستور بعدی به مقدار VCES به آن اضافه شده و باعث خراب شدن حاشیه امنیت نویز میشود.
اسلاید 7 :
منطق DT
منطق RT از مشکل swing و نویز رنج میبرد. برای حل این مشکلات منطق DT معرفی گردید.
وجود دیود باعث میشود تا در صورت یک بودن خروجی جریانی از خروجی گیت کشیده نشود. لذا مشکل تغییر swing در اثر fan-out از بین میرود. در مدار زیر مشکل اختلاف ورودیها در اثر fan-in نیز از بین رفته است.
اسلاید 8 :
منطق TT
با اعمال تغییراتی در منطق DT منطق دیگری با نام TT بوجود آمد که در آن دیود های موجود در ورودی با ترانزیستور جایگزین گشته اند. برای اینکار دو دیود پشت به پشت با هم ادغام و به صورت یک ترانزیستور npn ساخته شدند. در این مدار ناحیه p دیودها با هم ادغام شده و ضمن صرفه جوئی در جا، خازن پارازیتی کمتر و در نتیجه تاخیر انتشار کمتری نیز دارد.
علاوه برآن بدلیل اینکه ترانزیستور ورودی در هنگام انتقال ورودی از یک به صفر بصورت فعال در می آید، باعث میشود تا بار موجود در بیس ترانزیستور خروجی به سرعت تخلیه شود. که در نهایت سرعت مدار را افزایش میدهد.
اسلاید 9 :
با افزودن یک ترانزیستور امیتر فالور میتوان جریان موجود برای تغذیه ترانزیستور خروجی را افزایش داد. اینکار باعث میشود تا مقدار fan-out خروجی زیاد شود (چرا؟)
در ضمن زمان tPH در هنگام تغییر ورودی از صفر به یک را کاهش میدهد.
اسلاید 10 :
منطق TT استاندارد
منطق استاندار یک گیت معکوس کننده TT با افزودن دو مدار دیگر بدست می اید:
اولی یک مدار pu -up و دومی یک مدار ضدحلقه است که از دیود D0 تشکیل میشود.
