بخشی از مقاله

چکیده

انرژي بستگی ناخالصی هیدروژنگونه در نقاط کوانتمی متقارن در تقریب جرم مؤثر و با استفاده از روش وردشی برحسب موقعیتهاي مختلف، غلظت ایندیم و طول نقاط محاسبه شدهاند. نتایج بیانگر وجود سه قله متقارن در انرژي بستگی متناظر با سه نقطه کوانتمی میباشد، که با اعمال میدان مغناطیسی، ارتفاع قلهها افزایش مییابند.
مقدمه
حضور ناخالصی بهطور چشمگیر بر عملکرد ابزارهاي کوانتمی تأثیر میگذارد. نقش ناخالصی ها در تعیین ویژگیهاي فیزیکی نانو ساختارهاي نیمه رسانا، از قبیل خواص الکترونیک و نوري در مقالات متعدد گزارش شده است .
نیمه هاديهاي نیتروژندار به دلیل داشتن ویژگیهاي منحصر به فرد از جمله گاف انرژي پهن و گسترده و کاربرد آنها در ساخت قطعات اپتیکی و الکترونیکی در سال هاي اخیر توجهات زیادي را به  خود  معطوف  کردهاند.[1]  در    ساختار  کوانتمی GaN /InGaN    الکترونگاتیوي بسیار زیاد نیتروژن و تفاوت ثابت شبکه میان    GaN و InGaN به    ترتیب منجر به ایجاد قطبش خود به خودي و خاصیت پیزوالکتریک میشود و میدان الکتریکی داخلی بزرگی ایجاد میکنند که حالتهاي الکترونی وخواص اپتیکی را تحت تاثیر قرار میدهد. تا کنون کارهاي تجربی و نظري زیادي در بررسی حالتهاي الکترونیکی در شکلهاي متفاوت نقاط کوانتمی این ترکیب انجام گرفته است..[4-2]

در این مقاله با به کارگیري تقریب جرم مؤثر و روش وردشی، انرژي  بستگی  ناخالصی  هیدروژنی  در    ساختار    کوانتمی GaN /InxGa1x N /InyGa1y N شامل    سه نقطه    کوانتمی استوانه اي متقارن را در حضور میدان مغناطیسی بررسی خواهیم کرد.

روش محاسباتی 
سیستم مورد نظر شامل سه نقطه کوانتمی استوانهاي متقارن InxGa1x N، احاطه    شده به وسیله دو ماده - با    گاف انرژي بزرگ - ، InyGa1y N    yxدر راستاي شعاعی و    GaN در راستاي محور z ها است - شکل . - 1 نقاط کوانتمی استوانهاي با شعاع R وطول Ld مشخص شده و ضخامت لایه سد میانی را Lb در نظر گرفتهایم. در تقریب جرم مؤثر ، هامیلتونی الکترون در حضور ناخالصی هیدروژنی و میدان مغناطیسی به صورت زیر بیان میشود:

در متن اصلی مقاله به هم ریختگی وجود ندارد. برای مطالعه بیشتر مقاله آن را خریداری کنید